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1. (WO2015112802) SYSTÈME ET PROCÉDÉ POUR DÉCALER DES DIMENSIONS CRITIQUES DE FILMS MODÉLISÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/112802    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/012592
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 23.01.2015
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741 (US) (JP only)
Inventeurs : DEVILLIERS, Anton J.; (US).
FULFORD, Daniel; (US)
Mandataire : MATHER, Joshua D.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/932,005 27.01.2014 US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR SHIFTING CRITICAL DIMENSIONS OF PATTERNED FILMS
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ POUR DÉCALER DES DIMENSIONS CRITIQUES DE FILMS MODÉLISÉS
Abrégé : front page image
(EN)Techniques herein include systems and methods that provide a spatially-controlled projection of electromagnetic radiation, such as light, onto a substrate as a mechanism of controlling or modulating critical dimensions of various features and structures being micro-fabricated on a substrate. Combining such spatial light projection with photolithographic exposure can achieve significant improvements in critical dimension uniformity across a surface of a substrate. In general, methods herein include patterning processes that identify or receive a critical dimension signature that spatially characterizes critical dimension values that correspond to the substrate. A pattern of electromagnetic radiation is projected onto a patterning film coated on substrate using a digital pixel-based projection system. A conventional photolithographic exposure process is executed subsequent to, or prior to, the pixel-based projection. The patterning film can then be developed to yield a relief pattern having critical dimensions shaped by both exposure processes.
(FR)L’invention porte sur des techniques qui comprennent des systèmes et des procédés qui fournissent une projection commandée spatialement de rayonnement électromagnétique, telle qu’une lumière, sur un substrat en tant que mécanisme de commande ou de modulation de dimensions critiques de diverses fonctions et structures qui sont micro-fabriquées sur un substrat. Une combinaison d’une telle projection de lumière spatiale avec une exposition photo-lithographique peut obtenir des améliorations significatives d’uniformité de dimensions critiques à travers une surface d’un substrat. En général, des procédés selon la présente invention comprennent des processus de modélisation qui identifient ou reçoivent une signature de dimensions critiques qui caractérise spatialement des valeurs de dimension critique qui correspondent au substrat. Un motif de rayonnement électromagnétique est projeté sur un film de modélisation enrobé sur un substrat en utilisant un système de projection à base de pixel numérique. Un processus d’exposition photo-lithographique conventionnel est exécuté après, ou avant, la projection à base de pixel. Le film de modélisation peut ensuite être développé pour produire un motif en relief ayant des dimensions critiques mises en forme par les deux processus d’exposition.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)