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1. (WO2015112472) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À JONCTION NORMALEMENT ÉTEINTS ET CIRCUITS COMPLÉMENTAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/112472    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/011966
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 20.01.2015
CIB :
H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01), H01L 27/095 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US)
Inventeurs : HEKMATSHOARTABARI, Bahman; (US).
SHAHIDI, Ghavam G.; (US)
Mandataire : GROLZ, Edward W.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/930,519 23.01.2014 US
14/591,022 07.01.2015 US
Titre (EN) NORMALLY-OFF JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND COMPLEMENTARY CIRCUITS
(FR) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À JONCTION NORMALEMENT ÉTEINTS ET CIRCUITS COMPLÉMENTAIRES
Abrégé : front page image
(EN)A junction field-effect transistor (JFET) with a gate region that includes two separate subregions having material of different conductivity types and/or a Schottky junction that substantially suppresses gate current when the gate junction is forward-biased, as well as complementary circuits that incorporate such JFET devices. According to an aspect of the present invention, there is a junction field effect transistor (JFET) that includes a channel region and a gate region. The gate region includes a first gate sub-region and a second gate sub-region. The first gate sub-region forms a junction with the channel region. The second gate sub-region forms a junction with the first gate sub-region. The channel region and the second gate sub-region include material of a first conductivity type. The first gate sub-region includes material of a second conductivity type different from the first conductivity type.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ à jonction (JFET) comportant une zone de grille qui inclut deux sous-zones séparées comprenant des matériaux de types de conductivité différents et/ou une jonction Schottky qui supprime sensiblement le courant de grille quand la jonction de grille est polarisée vers l'avant, ainsi que des circuits complémentaires qui incorporent de tels dispositifs à JFET. Selon un aspect, la présente invention concerne un transistor à effet de champ à jonction (JFET) qui inclut une zone de canal et une zone de grille. La zone de grille inclut une première sous-zone de grille et une seconde sous-zone de grille. La première sous-zone de grille forme une jonction avec la zone de canal. La seconde sous-zone de grille forme une jonction avec la première sous-zone de grille. La zone de canal et la seconde sous-zone de grille incluent un matériau d'un premier type de conductivité. La première sous-zone de grille inclut un matériau d'un second type de conductivité différent du premier type de conductivité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)