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1. (WO2015112419) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS SUR UNE MICROSTRUCTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/112419    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/011560
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 15.01.2015
CIB :
G02F 1/1343 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), C09K 13/04 (2006.01), G06F 3/044 (2006.01)
Déposants : 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center Post Office Box 33427 Saint Paul, Minnesota 55133-3427 (US)
Inventeurs : SEBASTIAN, Muthu; (SG).
DOLEZAL, Michael W; (US)
Mandataire : RICHARDSON, Clifton F.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/930,687 23.01.2014 US
Titre (EN) METHOD FOR PATTERNING A MICROSTRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS SUR UNE MICROSTRUCTURE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for patterning one or more portions of a microstructure comprised of a flexible substrate, a conductor disposed on the substrate, and a metal layer disposed on the conductor, wherein the conductor is comprised of a stack of a first and a second transparent conductive oxide (TCO) layer, and a metal doped silicon oxide layer sandwiched between the two TCO layers.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de motifs sur une ou plusieurs parties d'une microstructure comportant un substrat flexible, un conducteur disposé sur le substrat, et une couche métallique disposée sur le conducteur, le conducteur comportant une pile de première et deuxième couches d'oxyde conducteur transparent (OCT), et une couche d'oxyde de silicium dopé par un métal prise en sandwich entre les deux couches d'OCT.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)