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1. (WO2015112324) DÉPÔT DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM ET DE L'OXYGÈNE SANS AGENT OXYDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/112324    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/010177
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 05.01.2015
CIB :
C23C 16/50 (2006.01), C23C 16/513 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : UNDERWOOD, Brian Saxton; (US).
MALLICK, Abhijit Basu; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; (US)
Données relatives à la priorité :
61/931,209 24.01.2014 US
Titre (EN) DEPOSITION OF SILICON AND OXYGEN-CONTAINING FILMS WITHOUT AN OXIDIZER
(FR) DÉPÔT DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM ET DE L'OXYGÈNE SANS AGENT OXYDANT
Abrégé : front page image
(EN)A silicon and oxygen-containing film, such as a silicon dioxide film, is deposited in the absence of an oxidizer by introducing siloxane precursors into a plasma processing chamber and dissociating at least some of the Si-H bonds of the siloxane precursors by, for example, exposing the siloxane precursors to a low energy plasma. The silicon and oxygen-containing film may be formed on an oxidation-prone surface without oxidizing the oxidation-prone surface. The deposited silicon and oxygen-containing film may serve as an initiation layer for a silicon dioxide bulk layer that is formed on top of the initiation layer using conventional silicon oxide deposition techniques, such as exposing the siloxane precursors to an oxygen-containing plasma. The initiation layer may be post-treated or cured to reduce the concentration of Si-H bonds prior to or after the deposition of the bulk layer.
(FR)L'invention concerne un film contenant du silicium et de l'oxygène, tel qu'un film de dioxyde de silicium, qui est déposé en l'absence d'un agent oxydant par introduction de précurseurs de siloxane dans une chambre de traitement au plasma et par dissociation d'au moins une partie des liaisons Si-H des précurseurs de siloxane, par exemple, par exposition des précurseurs de siloxane à un plasma à basse énergie. Le film contenant du silicium et de l'oxygène peut être formé sur une surface sujette à l'oxydation sans oxyder la surface sujette à l'oxydation. Le film déposé contenant du silicium et de l'oxygène peut faire office de couche d'initiation pour une couche de dioxyde de silicium en vrac qui est formée sur la partie supérieure de la couche d'initiation à l'aide de techniques de dépôt d'oxyde de silicium classiques telles que l'exposition des précurseurs de siloxane à un plasma contenant de l'oxygène. La couche d'initiation peut être soumise à un traitement ultérieur ou durcie pour réduire la concentration des liaisons Si-H avant ou après le dépôt de la couche en vrac.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)