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1. (WO2015112277) DISPOSITIFS III-N DANS DES TRANCHÉES SI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/112277    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/070085
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 12.12.2014
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard M/S: RNB-4-150 Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : DASGUPTA, Sansaptak; (US).
THEN, Han Wui; (US).
GARDNER, Sanaz K.; (US).
SUNG, Seung Hoon; (US).
RADOSAVLJEVIC, Marko; (US).
CHU-KUNG, Benjamin; (US).
TAFT, Sherry; (US).
PILLARISETTY, Ravi; (US).
CHAU, Robert S.; (US)
Mandataire : MALLIE, Michael J.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/162,717 23.01.2014 US
Titre (EN) III-N DEVICES IN SI TRENCHES
(FR) DISPOSITIFS III-N DANS DES TRANCHÉES SI
Abrégé : front page image
(EN)A trench comprising a portion of a substrate is formed. A nucleation layer is deposited on the portion of the substrate within the trench. A III-N material layer is deposited on the nucleation layer. The III-N material layer is laterally grown over the trench. A device layer is deposited on the laterally grown III-N material layer. A low defect density region is obtained on the laterally grown material and is used for electronic device fabrication of III-N materials on Si substrates.
(FR)Selon l’invention, une tranchée comprenant une partie d’un substrat est formée. Une couche de nucléation est déposée sur la partie du substrat à l’intérieur de la tranchée. Une couche de matériau III-N est déposée sur la couche de nucléation. La couche de matériau III-N est mise en croissance latéralement sur la tranchée. Une couche de dispositif est déposée sur la couche de matériau III-N mise en croissance latéralement. Une région à faible densité de défauts est obtenue sur le matériau mis en croissance latéralement et est utilisée pour une fabrication de dispositif électronique de matériaux III-N sur des substrats Si.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)