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1. (WO2015112201) JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE AYANT DES BARRIÈRES DE SUPER-RÉSEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/112201    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/051164
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 15.08.2014
CIB :
G11C 11/00 (2006.01)
Déposants : NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY; No. 1, Section 4 Roosevelt Road Taipei, 10617 (TW).
HSUEH, Wen-jeng; (TW).
WO, Andrew, Man Chung [US/--]; (TW).
CHEN, Chang-hung; (TW)
Inventeurs : HSUEH, Wen-jeng; (TW).
CHEN, Chang-hung; (TW)
Mandataire : PARK, Jong; The PL Law Group, PLLC 11710 Plaza America Dr., Suite 2000 Reston, 20190 (US)
Données relatives à la priorité :
61/931,235 24.01.2014 US
Titre (EN) MAGNETIC TUNNEL JUNCTION WITH SUPERLATTICE BARRIERS
(FR) JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE AYANT DES BARRIÈRES DE SUPER-RÉSEAU
Abrégé : front page image
(EN)A magnetic tunnel junction is provided. The magnetic tunnel junction can enhance the tunnel magnetoresistance ratio and a device including the magnetic tunnel junction. The magnetic tunnel junction includes: a pinned layer; a free layer; and a superlattice barrier, the barrier configured between the pinned layer and the free layer. The magnetic tunnel junction may be a series or parallel connection of the above-mentioned basic form. The device including a magnetic tunnel junction may be a magnetic random access memory bit cell, a magnetic tunnel junction transistor device, a magnetic field sensor, etc.
(FR)L'invention concerne une jonction tunnel magnétique. La jonction tunnel magnétique peut améliorer le rapport de résistance magnétique de tunnel et un dispositif comprenant la jonction tunnel magnétique. La jonction tunnel magnétique comprend une couche goupillée, une couche libre et une barrière de super-réseau, la barrière se trouvant entre la couche goupillée et la couche libre. La jonction tunnel magnétique peut être une connexion en série ou en parallèle de la forme de base mentionnée ci-dessus. Le dispositif comprenant une jonction tunnel magnétique peut être une cellule binaire de mémoire vive magnétique, un dispositif de transistor de jonction tunnel magnétique, un capteur de champ magnétique, etc.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)