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1. (WO2015111885) PROCÉDÉ DE MODIFICATION DE SURFACE DE SILICIURE DE MÉTAL, ET PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR PRÉPARER DU TRICHLOROSILANE AU MOYEN DE SILICIURE DE MÉTAL MODIFIÉ EN SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/111885    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/000518
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 19.01.2015
CIB :
C01B 33/08 (2006.01), B01J 19/24 (2006.01)
Déposants : KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY [KR/KR]; (Jang-dong) 141, Gajeong-ro, Yuseong-gu Daejeon 305-343 (KR).
HANWHA CHEMICAL CORPORATION [KR/KR]; (Janggyo-dong) 86, Cheonggyecheon-ro, Jung-gu, Seoul 100-797 (KR)
Inventeurs : CHOI, Won Choon; (KR).
PARK, Yong Ki; (KR).
LEE, Woo Hyung; (KR).
SEO, Hwi Min; (KR).
KANG, Na Young; (KR).
HAN, Joo Hee; (KR).
LEE, Dong Ho; (KR).
AHN, Gui Ryong; (KR).
KIM, Gil Ho; (KR)
Mandataire : KO, Young Kap; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0008338 23.01.2014 KR
Titre (EN) METHOD FOR SURFACE-MODIFYING METAL SILICIDE, AND METHOD AND APPARATUS FOR PREPARING TRICHLOROSILANE USING SURFACE-MODIFIED METAL SILICIDE
(FR) PROCÉDÉ DE MODIFICATION DE SURFACE DE SILICIURE DE MÉTAL, ET PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR PRÉPARER DU TRICHLOROSILANE AU MOYEN DE SILICIURE DE MÉTAL MODIFIÉ EN SURFACE
(KO) 금속 실리사이드의 표면개질 방법, 표면개질된 금속 실리사이드를 이용한 삼염화실란의 제조방법 및 제조장치
Abrégé : front page image
(EN)A method for preparing trichlorosilane according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: supplying surface-modified metal silicide and metal grade silicon to a reaction unit; supplying tetrachlorosilane and hydrogen to the reaction unit; and supplying a product, which is generated by a reaction of metal grade silicon, tetrachlorosilane, and hydrogen in the presence of metal silicide in the reaction unit, to a separation unit, and separating a trichlorosilane component. In cases where a tetrachlorosilane hydrochlorination reaction is performed using the method for preparing trichlorosilane according to an embodiment of the present invention, the yield of trichlorosilane can be raised.
(FR)Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé de préparation de trichlorosilane comprenant les étapes de : alimentation de siliciure de métal modifié en surface et de silicium de qualité métallique dans une unité de réaction ; alimentation de tétrachlorosilane et d’hydrogène dans l’unité de réaction ; et alimentation d’un produit qui est généré par une réaction de silicium de qualité métallique, de tétrachlorosilane et d’hydrogène en présence de siliciure de métal dans l’unité de réaction, dans une unité de séparation, et séparation d’un composant de trichlorosilane. Dans des cas dans lesquels une réaction d’hydrochloration de tétrachlorosilane est conduite en utilisant le procédé de préparation de trichlorosilane selon un mode de réalisation de la présente invention, le rendement de trichlorosilane peut être augmenté.
(KO)본 발명의 실시예에 따른 삼염화실란의 제조방법은 표면개질된 금속 실리사이드와 금속 등급 실리콘을 반응부로 공급하는 단계, 상기 반응부에 사염화실란과 수소를 공급하는 단계 및 상기 반응부 내에서 금속 실리사이드의 존재하에 금속 등급 실리콘, 사염화실란 및 수소 간의 반응에 의해 생성된 생성물을 분리부에 공급하고 삼염화실란 성분을 분리하는 단계를 포함한다. 본 발명의 실시예에 따른 삼염화실란의 제조방법을 이용하여 사염화실란 하이드로염소화 반응을 진행하는 경우 삼염화실란의 수율을 향상시킬 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)