WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015111689) ÉLECTRET ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/111689    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/051804
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 23.01.2015
CIB :
H01G 7/02 (2006.01), H02N 1/08 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-Cho, Ukyo-Ku, Kyoto-Shi, Kyoto 6158585 (JP).
THE SCHOOL CORPORATION KANSAI UNIVERSITY [JP/JP]; 3-3-35, Yamate-cho, Suita-shi, Osaka 5648680 (JP)
Inventeurs : AOYAGI Seiji; (JP).
SUZUKI Masato; (JP).
TAKAHASHI Tomokazu; (JP).
YOSHIKAWA Yasuhiro; (JP)
Mandataire : SANO PATENT OFFICE; 5F, Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-011084 24.01.2014 JP
Titre (EN) ELECTRET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND POWER GENERATION DEVICE USING SAME
(FR) ÉLECTRET ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE L'UTILISANT
(JA) エレクトレットとその製造方法、並びに、これを用いた発電装置
Abrégé : front page image
(EN) This electret is formed from an inorganic insulating body (SiO2, etc.) having a porous structure. The charge density in porous SiO2 is higher than the charge density in non-porous SiO2. This is because the charge is strongly trapped at the interface between the porous SiO2 and the numerous voids present in the SiO2. Therefore, the decrease (%) in the density of charge trapped in the porous SiO2 is lower than the decrease (%) in the density of charge trapped in the non-porous SiO2. In addition, because SiO2 is thermally stable, the thermal stability of a porous SiO2 electret is superior to the thermal stability of a polymer electret. The power outputted by a vibratory power generation device in which a porous SiO2 electret is used is greater than the power outputted by a vibratory power generation device in which a non-porous SiO2 electret or a polymer electret is used.
(FR) L’invention porte sur un électret qui est formé d’un corps d’isolation inorganique (SiO2, etc.) ayant une structure poreuse. La densité de charge dans du SiO2 poreux est supérieure à la densité de charge dans du SiO2 non poreux. Ceci s'explique par le fait que la charge est piégée fermement au niveau de l’interface entre le SiO2 poreux et les nombreux vides présents dans le SiO2. Ainsi, la diminution (%) de la densité de charge piégée dans le SiO2 poreux est inférieure à la diminution (%) de la densité de charge piégée dans le SiO2 non poreux. De plus, étant donné que le SiO2 est thermiquement stable, la stabilité thermique d’un électret de SiO2 poreux est supérieure à la stabilité thermique d’un électret de polymère. L'énergie fournie par un dispositif de génération d'énergie vibratoire dans lequel un électret de SiO2 poreux est utilisé est supérieure à l'énergie fournie par un dispositif de génération d'énergie vibratoire dans lequel un électret de SiO2 non poreux ou un électret de polymère est utilisé.
(JA) 本発明のエレクトレットは、ポーラス構造を持つ無機絶縁体(SiO2など)で形成されている。ポーラスSiO2中の電荷密度は、非ポーラスSiO2中の電荷密度より高いが、これはポーラスSiO2中に多数存在するボイドとSiO2との界面で電荷が強くトラップされるからである。従って、ポーラスSiO2中でトラップされた電荷密度の減少率は、非ポーラスSiO2中でトラップされた電荷密度の減少率よりも低い。また、SiO2は熱的に安定であることから、ポーラスSiO2エレクトレットの熱的安定性は、ポリマーエレクトレットの熱的安定性よりも良好である。また、ポーラスSiO2エレクトレットを用いた振動型発電装置の出力電力は、非ポーラスSiO2エレクトレットやポリマーエレクトレットを用いた振動型発電装置の出力電力よりも大きい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)