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1. (WO2015111572) FILM BARRIÈRE CONTRE LES GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/111572    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/051367
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 20.01.2015
CIB :
B32B 9/00 (2006.01), B65D 65/40 (2006.01)
Déposants : TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666 (JP)
Inventeurs : UEBAYASHI, Hiroyuki; (JP).
SATAKE, Hikaru; (JP).
TOKUNAGA, Kodai; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-012106 27.01.2014 JP
Titre (EN) GAS BARRIER FILM
(FR) FILM BARRIÈRE CONTRE LES GAZ
(JA) ガスバリア性フィルム
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a gas barrier film having excellent gas barrier characteristics. This gas barrier film includes, on at least one surface of a polymer base material, a gas barrier layer in which a first layer including zinc oxide and silicon dioxide and a second layer including a silicon compound are arranged in contact with one another in this order from the polymer base material, wherein the binding energy of the Si 2p orbit at the interface between the first layer and the second layer as measured by X-ray photoelectron spectroscopy is greater than the binding energy of the Si 2p orbit in the first layer and is smaller than the binding energy of the Si 2p orbit in the second layer.
(FR)La présente invention a pour objet de réaliser un film barrière contre les gaz qui possède d'excellentes caractéristiques de barrière contre les gaz. Le film barrière contre les gaz selon l'invention comprend, sur au moins une surface d'un matériau de base polymère, une couche barrière contre les gaz dans laquelle une première couche contenant de l'oxyde de zinc et du dioxyde de silicium et une deuxième couche contenant un composé de silicium sont disposées en contact l'une avec l'autre dans cet ordre à partir du matériau de base polymère. L'énergie de liaison de l'orbitale 2p du Si au niveau de l'interface entre la première couche et la deuxième couche, mesurée par spectroscopie de photoélectrons induits par rayons X, est supérieure à l'énergie de liaison de l'orbitale 2p du Si dans la première couche et inférieure à l'énergie de liaison de l'orbitale 2p du Si dans la deuxième couche.
(JA) 本発明は、高度なガスバリア性を有するガスバリア性フィルムを提供することを目的とする。本発明のガスバリアフィルムは、高分子基材の少なくとも片面に、酸化亜鉛と二酸化ケイ素とを含む第1層とケイ素化合物を含む第2層とを高分子基材からこの順に接して配されたガスバリア層を有し、X線光電子分光法により測定される第1層と第2層との界面におけるSi2p軌道の結合エネルギーが、第1層におけるSi2p軌道の結合エネルギーより大きく、かつ第2層におけるSi2p軌道の結合エネルギーより小さい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)