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1. (WO2015111446) APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/111446    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/050435
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 09.01.2015
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : SEKO Hiroaki; (JP)
Mandataire : NISHIKAWA Takashi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-009182 22.01.2014 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING APPARATUS AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置および電子機器
Abrégé : front page image
(EN)This disclosure pertains to a solid-state imaging apparatus and an electronic device that make it possible to reduce crosstalk interference. In an upper chip, a VSL, another VSL, and control lines are layered in that order from the bottom up. That is, the control lines (72) in this multilayer solid-state imaging apparatus (101) are laid out in the top layer of the aforementioned upper chip (111). The control lines are thus used as a shield to prevent a lower chip (62) from affecting the aforementioned VSLs. This disclosure can be applied, for example, to a CMOS solid-state imaging apparatus used in an electronic device such as a camera.
(FR)La présente invention concerne un appareil d'imagerie à semi-conducteurs et un dispositif électronique qui rendent possible une réduction d'interférence diaphonique. Dans une puce supérieure, une VSL, une autre VSL, et des lignes de commande sont stratifiées dans cet ordre de bas en haut. C'est-à-dire que dans cet appareil (101) d'imagerie à semi-conducteurs à couches multiples, les lignes de commande (72) sont disposées dans la couche supérieure de la puce supérieure (111) susmentionnée. Les lignes de commande sont par conséquent utilisées en tant que blindage en vue d'éviter qu'une puce inférieure (62) ne perturbe les VSL susmentionnées. Cette invention peut être appliquée, par exemple, à un appareil d'imagerie à semi-conducteurs CMOS utilisé dans un dispositif électronique tel qu'une caméra.
(JA) 本開示は、クロストーク干渉を低減させることができるようにする固体撮像装置および電子機器に関する。 上チップにおいては、下層から、VSL、VSL、制御線の順に積層されている。すなわち、積層型固体撮像装置101においては、制御線72が上チップ111の最上層にレイアウトされている。このようにすることで、2つのVSLに対しての下チップ62からの影響を、制御線でシールドすることができる。本開示は、例えば、カメラ装置などの電子機器に用いられるCMOS固体撮像装置に適用することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)