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1. (WO2015111387) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/111387    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/000124
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 14.01.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), G03F 9/00 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP)
Inventeurs : AKAGI, Nozomu; (JP).
SAKAKIBARA, Jun; (JP).
MIZUNO, Shoji; (JP).
TAKEUCHI, Yuichi; (JP)
Mandataire : KIN, Junhi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-011642 24.01.2014 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In this method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device, after disposing a mask (20) on the surface of a drift layer (3), etching is carried out using the mask so that a plurality of recesses (3a) are formed so as to be apart from each other in a cross-section that is parallel to the surface of the substrate by partially removing the upper portion of the drift layer. By performing ion implantation of an impurity of a second conductivity type into the bottom portions of the recesses using the mask, a plurality of electric field attenuated layers (5) of the second conductivity type are formed, said electric field attenuated layers being apart from each other in the cross-section. A channel layer (4) is formed by forming a layer of the second conductivity type on the surface of the drift layer including the surfaces of the electric field attenuated layers within the recesses.
(FR)L'invention concerne, dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium, après le dépôt d'un masque (20) sur la surface d'une couche de dérivation (3), la réalisation d'une gravure en utilisant le masque de sorte qu'une pluralité d'évidements (3a) sont formés de façon à être espacés les uns des autres dans une section transversale qui est parallèle à la surface du substrat en éliminant partiellement la partie supérieure de la couche de dérivation. En réalisant une implantation d'ions d'une impureté d'un second type de conductivité sur les parties inférieures des évidements en utilisant le masque, une pluralité de couches à champ électrique atténué (5) du second type de conductivité sont formées, lesdites couches à champ électrique atténué étant espacées les unes des autres dans la section transversale. Une couche de canal (4) est formée en formant une couche du second type de conductivité sur la surface de la couche de dérivation incluant les surfaces des couches à champ électrique atténué au sein des évidements.
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法において、ドリフト層(3)の表面にマスク(20)を配置した後、前記マスクを用いてエッチングを行うことで、前記ドリフト層の上層部を部分的に除去した複数の凹部(3a)を前記基板の表面と平行な断面において互いに離間させて形成する。前記マスクを用いて前記凹部の底部に第2導電型不純物をイオン注入することで、前記断面において互いに離間した複数の第2導電型の電界緩和層(5)を形成する。前記凹部内における前記電界緩和層の表面を含めて前記ドリフト層の表面に第2導電型層を形成することでチャネル層(4)を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)