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1. (WO2015111108) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/111108    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/006013
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 02.12.2014
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), G02B 6/12 (2006.01), H01L 31/0232 (2014.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : YANO, Hisashi; .
HIRAI, Jun; .
ISHIDA, Hiroyuki; .
MORINAGA, Yasunori; .
YOSHIDA, Hideaki; .
OHNO, Shigeyuki; .
YAMAMOTO, Naoki; .
TAKAHASHI, Nobuyoshi;
Mandataire : KAMATA, Kenji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-008615 21.01.2014 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 固体撮像装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Without making the diameter of an upper-layer waveguide smaller than the diameter of a lower-layer waveguide, this invention makes it such that no concavities are formed in a wiring layer around the lower-layer waveguide. This solid-state imaging device contains the following: a semiconductor substrate provided with a photodiode; a first waveguide provided on top of said photodiode; a first wiring layer provided next to said first waveguide; an intermediate layer contiguously provided on top of the first waveguide and the first wiring layer; a second waveguide provided on top of the first waveguide with the intermediate layer interposed therebetween; and a second wiring layer provided, on top of the intermediate layer, next to the second waveguide.
(FR)La présente invention concerne l'absence de formation de concavités dans une couche de câblage autour d'un guide d'ondes de couche inférieure, sans que le diamètre d'un guide d'ondes de couche supérieure ne soit réduit par rapport au diamètre du guide d'ondes de couche inférieure. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteur selon la présente invention, contient : un substrat semi-conducteur pourvu d'une photodiode; un premier guide d'ondes disposé sur le dessus de ladite photodiode; une première couche de câblage disposée à côté dudit premier guide d'ondes; une couche intermédiaire disposée de manière contiguë sur le dessus du premier guide d'ondes et de la première couche de câblage; un second guide d'ondes disposé sur le dessus du premier guide d'ondes, avec la couche intermédiaire intercalée entre eux; et une seconde couche de câblage disposée, sur le dessus de la couche intermédiaire, à côté du second guide d'ondes.
(JA) 上層の導波路の径を下層の導波路の径よりも小さくすることなく、下層の導波路の周囲の配線層に凹部が形成されないようにする。固体撮像装置は、フォトダイオードを有する半導体基板と、フォトダイオードの上に設けられた第1の導波路と、第1の導波路の側方に設けられた第1の配線層と、第1の導波路及び第1の配線層の上に連続して設けられた中間層と、中間層を介在させて第1の導波路の上に設けられた第2の導波路と、中間層の上における第2の導波路の側方に設けられた第2の配線層とを備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)