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1. (WO2015110723) MEMOIRE NON VOLATILE MULTIPORT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/110723    N° de la demande internationale :    PCT/FR2014/053336
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 15.12.2014
CIB :
G11C 11/56 (2006.01), G11C 8/16 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; Bâtiment Le Ponant D - 25, Rue Leblanc F-75015 Paris (FR).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, Rue Michel Ange F-75794 Paris Cedex 16 (FR)
Inventeurs : BERNARD-GRANGER, Fabrice; (FR).
JAVERLIAC, Virgile; (FR)
Mandataire : CABINET BEAUMONT; 1, Rue Champollion F-38000 Grenoble (FR)
Données relatives à la priorité :
1450533 22.01.2014 FR
Titre (EN) MULTI-PORT NON-VOLATILE MEMORY
(FR) MEMOIRE NON VOLATILE MULTIPORT
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a multi-port memory cell comprising: first and second magnetoresistive elements (MTJ0, MTJ1), each of which is programmable so as to adopt at least two resistive states (Rmin, Rmax), in which: the first magnetoresistive element (MTJ0) is coupled with a first output line (BL0) and is programmable by the direction of a current which is passed through same; and the second magnetoresistive element (MTJ1) is coupled with a second output line (BL1) and is arranged so as to be magnetically coupled with the first magnetoresistive element, the second magnetoresistive element being programmable by a magnetic field generated by the first magnetoresistive element.
(FR)L'invention concerne une cellule mémoire multiport comprenant : des premier et deuxième éléments magnétorésistifs (MTJO, MTJ1), chacun étant programmable pour prendre l'un d'au moins deux états résistifs (Rmin, Rmax), dans laquelle : le premier élément magnétorésistif (MTJO) est couplé à une première ligne de sortie (BLO) et est programmable par la direction d'un courant qu'on fait passé dans celui-ci; et le deuxième élément magnétorésistif (MTJ1) est couplé à une deuxième ligne de sortie (BL1) et est agencé pour être couplé de façon magnétique au premier élément magnétorésistif, le deuxième élément magnétorésistif étant programmable par un champ magnétique généré par le premier élément magnétorésistif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)