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1. (WO2015110548) PROCÉDÉ DE FORMATION DE POLYSILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/110548    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/051280
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 22.01.2015
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : LASER SYSTEMS & SOLUTIONS OF EUROPE [FR/FR]; 14-38 rue Alexandre F-92230 Gennevilliers (FR)
Inventeurs : MAZZAMUTO, Fulvio; (FR)
Mandataire : CHAUVIN, Vincent; (FR)
Données relatives à la priorité :
14290007.5 24.01.2014 EP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING POLYSILICON
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE POLYSILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is directed to a method for forming polysilicon on a semiconductor substrate comprising providing amorphous silicon on a semiconductor substrate, exposing at least an area of the amorphous silicon to a first laser beam and a second laser beam, characterized in that during exposing the area to the second laser beam no displacement of the laser beam relative to the area occurs. In addition, the present invention is directed to the use of such method for producing large grain polysilicon. In particular, the present invention is directed to the use of such method for producing vertical grain polysilicon. Further, the present invention is directed to the use of such method for producing sensors, MEMS, NEMS, Non Volatile Memory, Volatile memory, NAND Flash, DRAM, Poly Si contacts and interconnects.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation de polysilicium sur un substrat en semiconducteur comprenant la fourniture de silicium amorphe sur un substrat en semiconducteur, l'exposition d'au moins une zone du silicium amorphe à un premier faisceau laser et à un deuxième faisceau laser, caractérisé en ce que pendant l'exposition de la zone au deuxième faisceau laser, il ne se produit aucun déplacement du faisceau laser par rapport à la zone. De plus, la présente invention concerne l'utilisation d'un tel procédé pour produire du polysilicium à grands grains. La présente invention concerne notamment l'utilisation d'un tel procédé pour produire du polysilicium à grains verticaux. La présente invention concerne en outre l'utilisation d'un tel procédé pour la production de capteurs, de MEMS, de NEMS, de mémoires non volatiles, de mémoires volatiles, de flash NAND, de DRAM, ainsi que de contacts et interconnexions au polysilicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)