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1. (WO2015110431) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/110431    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/051022
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 20.01.2015
CIB :
H01L 51/52 (2006.01)
Déposants : OSRAM OLED GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2 93049 Regensburg (DE)
Inventeurs : WEHLUS, Thomas; (DE)
Mandataire : VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Grillparzerstr. 14 81675 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2014 100 627.5 21.01.2014 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend: eine erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht (104), die einen elektrisch leitfähigen Stoff in einer Matrix aufweist; eine zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) über der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104); und eine elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung (106) zwischen der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104) und der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (108); wobei die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung (106) derart ausgebildet ist, dass die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) mittels der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung (106) mit der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104) verbunden ist, und wobei die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung (106) hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser von der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104) durch die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung (106) in die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) ausgebildet ist.
(EN)In different embodiments, an optoelectronic component (100) is provided, said optoelectronic component (100) having: a first electrically conductive layer (104) which has an electrically conductive material in a matrix; a second electrically conductive layer (108) over the first electrically conductive layer (104); and an electrically conductive thin film encapsulation (106) between the first electrically conductive layer (104) and the second electrically conductive layer (108); The electrically conductive thin film encapsulation (106) is designed such that the second electrically conductive layer (108) is connected to the first electrically conductive layer (104) by means of the electrically conductive thin film encapsulation (106), and the electrically conductive thin film encapsulation (106) is designed to hermetically seal against a diffusion of water from the first electrically conductive layer (104) into the second electrically conductive layer (108) through the electrically conductive thin film encapsulation (106).
(FR)L'invention concerne un composant optoélectronique (100) selon divers modes de réalisation, le composant optoélectronique (100) comprenant une première couche électriquement conductrice (104) qui contient une matière électriquement conductrice dans une matrice ; une deuxième couche électriquement conductrice (108) placée par-dessus la première couche électriquement conductrice (104) ; et un élément d'encapsulation à film mince électriquement conducteur (106) placée entre la première couche électriquement conductrice (104) et la deuxième couche électriquement conductrice (108). L'élément d'encapsulation à film mince électriquement conducteur (106) est configurée de telle sorte que la deuxième couche électriquement conductrice (108) est reliée à la première couche électriquement conductrice (104) au moyen de l'élément d'encapsulation à film mince électriquement conducteur (106). L'élément d'encapsulation à film mince électriquement conducteur (106) est configurée pour être hermétiquement étanche vis-à-vis d'une diffusion de l'eau de la première couche électriquement conductrice (104) dans la deuxième couche électriquement conductrice (108) à travers l'élément d'encapsulation à film mince électriquement conducteur (106).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)