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1. (WO2015110355) FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES À L'OXYDE IGZO SUR UN FILM COMPOSITE À FAIBLE COEFFICIENT DE DILATATION THERMIQUE (CTE) ET FAIBLE RETARD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/110355    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/050742
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 16.01.2015
CIB :
H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : COVESTRO DEUTSCHLAND AG [DE/DE]; Kaiser-Wilhelm-Allee 60 51373 Leverkusen (DE)
Inventeurs : OU CHUAN WHATT, Eric; (SG).
SIVARAMAKRISHNAN, Sankaran; (SG).
SINT, Khine Myat; (SG).
YAN, Martin; (SG)
Mandataire : LEVPAT; c/o Covestro AG Alfred-Nobel-Str. 10 40789 Monheim am Rhein (DE)
Données relatives à la priorité :
14152016.3 21.01.2014 EP
Titre (EN) FABRICATION OF IGZO OXIDE TFT ON A LOW CTE, LOW RETARDATION COMPOSITE FILM
(FR) FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES À L'OXYDE IGZO SUR UN FILM COMPOSITE À FAIBLE COEFFICIENT DE DILATATION THERMIQUE (CTE) ET FAIBLE RETARD
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a thin film transistor system comprising a thin film transistor disposed on a composite film substrate and a method to produce the same. These thin film transistors can be flexible and are useful in applications such as active matrix organic light emitting diode (OLED) and TFT backplanes for active matrix liquid crystal display (LCD) applications.
(FR)La présente invention concerne un système de transistor à couches minces comprenant un transistor à couches minces (TFT) disposé sur un substrat de film composite, et son procédé de fabrication. Ces transistors à couches minces peuvent être souples et sont utiles dans des applications telles que des fonds de panier TFT pour des applications d'écrans à diodes électroluminescentes organiques (OLED) à matrice active et d'écrans à cristaux liquides (LCD) à matrice active.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)