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1. (WO2015109811) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/109811    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/083429
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 31.07.2014
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : KONG, Xiangyong; (CN).
SUN, Hongda; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410039812.7 27.01.2014 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display device; the array substrate comprises a base substrate (1) and an electrode (2) located on the base substrate (1). The electrode (2) comprises an aluminum layer or an aluminum alloy layer (11) located on the base substrate (1), and a first barrier layer (12) located on the aluminum layer or the aluminum alloy layer (11) for preventing the forming of bumps on the aluminum layer or the aluminum alloy layer (11). The array substrate eliminates undesirable small bumps created by the metal aluminum or aluminum alloy at a high temperature after being formed on the base substrate (1).
(FR)La présente invention concerne un transistor à couches minces et son procédé de fabrication, un substrat de réseau et son procédé de fabrication ainsi qu'un dispositif d'affichage, le substrat de réseau comprenant un substrat de base (1) et une électrode (2) située sur le substrat de base (1). L'électrode (2) comprend une couche d'aluminium ou une couche d'alliage d'aluminium (11) disposée sur le substrat de base (1), et une première couche barrière (12) située sur la couche d'aluminium ou sur la couche d'alliage d'aluminium (11) destinée à empêcher la formation de bosses sur la couche d'aluminium ou sur la couche d'alliage d'aluminium (11). Le substrat de réseau élimine les petites bosses indésirables créées par l'aluminium ou l'alliage d'aluminium métallique à une température élevée à la suite de la formation de ce dernier sur le substrat de base (1).
(ZH)一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置,该阵列基板包括:衬底基板(1)和位于衬底基板(1)上的电极(2)。所述电极(2)包括:位于衬底基板(1)上的铝层或铝合金层(11);以及位于所述铝层或铝合金层(11)上用于阻挡所述铝层或铝合金层(11)起丘的第一阻挡层(12)。该阵列基板可以消除金属铝或铝合金形成在衬底基板(1)上之后遇高温产生小丘的不良现象。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)