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1. (WO2015109802) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET SUBSTRAT DE RÉSEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/109802    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/083072
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 25.07.2014
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : LI, Zhengliang; (CN).
LIU, Zhen; (CN).
DING, Luke; (CN).
ZHANG, Bin; (CN).
CAO, Zhanfeng; (CN).
HUI, Guanbao; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410032607.8 23.01.2014 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ARRAY SUBSTRATE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET SUBSTRAT DE RÉSEAU
(ZH) 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a thin film transistor (TFT) and manufacturing method thereof, and array substrate. The TFT comprises a gate electrode (12), a source electrode (15) and a drain electrode (16), and a buffer layer (11) directly disposed at one or two sides of at least one of the gate electrode (12), the source electrode (15) and the drain electrode (16); and the buffer layer (11) is conformal with at least one of the gate electrode (12), the source electrode (15) and the drain electrode (16) directly contacting the buffer layer (11). The present invention improves the joint sealing property between the TFT electrode and a film layer contacting same, while effectively preventing the atoms in the TFT electrode from diffusing into the film layer connected to the TFT electrode, thus improving the reliability of the TFT, and reducing production costs.
(FR)L'invention concerne un transistor à couches minces, un procédé de fabrication de celui-ci et un substrat de réseau. Le transistor à couches minces comprend une électrode de grille (12), une électrode de source (15) et une électrode de drain (16), ainsi qu'une couche tampon (11) directement disposée sur un ou deux côtés de l'électrode de grille (12), de l'électrode de source (15) et/ou de l'électrode de drain (16); et la couche tampon (11) est conforme avec l'électrode de grille (12), l'électrode de source (15) et/ou l'électrode de drain (16) directement en contact avec la couche tampon (11). La présente invention améliore la propriété d'étanchéité de joint entre l'électrode de transistor à couches minces et une couche en contact avec celle-ci, tout en empêchant efficacement la diffusion des atomes dans l'électrode de transistor à couches minces vers la couche connectée à l'électrode de transistor à couches minces, ce qui améliore la fiabilité du transistor à couches minces, et réduit les coûts de production.
(ZH)提供了一种薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板。该薄膜晶体管包括:栅极(12)、源极(15)和漏极(16),薄膜晶体管还包括缓冲层(11),缓冲层(11)直接设置在栅极(12)、源极(15)和漏极(16)中的至少之一的一侧或两侧,其中,缓冲层(11)和与该缓冲层(11)直接接触的栅极(12)、源极(15)和漏极(16)中的至少之一共形。这样,薄膜晶体管的电极和与之相接触的膜层之间的密接性被改善,同时有效的阻止了薄膜晶体管电极中的原子扩散到与之相连的膜层中,提高了薄膜晶体管的可靠性,降低了生产成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)