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1. (WO2015109794) APPAREIL ISOLANT THERMIQUE ET CONDUCTEUR ÉLECTRIQUE POUR CHAMBRE DE RÉACTION PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR PLASMA ET APPLICATION ASSOCIÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/109794    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/082820
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 23.07.2014
CIB :
C23C 16/513 (2006.01)
Déposants : IDEAL ENERGY (SHANGHAI) SUNFLOWER THIN FILM EQUIPMENT LTD. [CN/CN]; 1 Juli Road, Zhangjiang, Pudong New Area Shanghai 201203 (CN).
IDEAL ENERGY EQUIPMENT (SHANGHAI) LTD. [CN/CN]; 1 Juli Road, Zhangjiang, Pudong New Area Shanghai 201203 (CN)
Inventeurs : LIU, Chuansheng; (CN).
YANG, Feiyun; (CN).
CHEN, Jinyuan; (CN).
TAN, Xiaohua; (CN)
Représentant
commun :
IDEAL ENERGY (SHANGHAI) SUNFLOWER THIN FILM EQUIPMENT LTD. [CN/CN]; 1 Juli Road, Zhangjiang, Pudong New Area Shanghai 201203 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410025402.7 21.01.2014 CN
Titre (EN) THERMAL INSULATING AND ELECTRIC CONDUCTING APPARATUS FOR PECVD REACTION CHAMBER AND APPLICATION THEREOF
(FR) APPAREIL ISOLANT THERMIQUE ET CONDUCTEUR ÉLECTRIQUE POUR CHAMBRE DE RÉACTION PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR PLASMA ET APPLICATION ASSOCIÉE
(ZH) 一种用于PECVD反应腔的绝热导电装置及其应用
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a thermal insulating and electric conducting apparatus for a PECVD reaction chamber. The thermal insulating and electric conducting apparatus is located in a PECVD reaction chamber at the temperature higher than 400oC, and the apparatus includes a thermal insulator made from thermal insulating materials and an electric conducting layer covered on the insulator, the thickness of electric conducting layer should be great than or equal to the skin depth of the electric conducting layer material. The present invention can achieve the effects of good thermal insulation and electric conduction in a high temperature PECVD chamber, and overcome the problem that the plasma field is affected by the floating potential generated by a heating panel owning to the thermal insulating material being also the electric conducting material in the prior art.
(FR)La présente invention concerne un appareil isolant thermique et conducteur électrique destiné à une chambre de réaction par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). L'appareil isolant thermique et conducteur électrique est placé dans une chambre de réaction par PECVD à une température supérieure à 400 °C, et l'appareil comprend un isolant thermique préparé à partir de matières isolantes thermiquement et l'isolant est revêtu d'une couche conductrice électrique, l'épaisseur de la couche conductrice électrique devant être supérieure ou égale à la profondeur de pénétration du matériau de la couche conductrice électrique. La présente invention permet d'atteindre les effets de bonnes propriétés d'isolation thermique et de conduction électrique dans une chambre de PECVD à haute température, et de résoudre le problème dans lequel le champ de plasma est affecté par la tension flottante générée par un panneau chauffant, le matériau isolant thermique étant également le matériau conducteur électrique dans l'état de la technique.
(ZH)本发明揭示了一种用于PECVD反应腔的绝热导电装置,所述绝热导电装置位于温度高于400℃的PECVD反应腔内,所述绝热导电装置包括:由绝热材料构成的绝热体和在所述绝热体表面涂覆的导电层,所述导电层的厚度应大于等于导电层材料的趋肤深度,本发明能够实现高温PECVD反应腔内良好的绝热和导电的作用,克服了现有技术中因为绝热材料同时又是绝缘材料所导致的加热板产生悬浮电位而影响等离子体场的问题。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)