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1. (WO2015109684) PROCÉDÉS POUR PRÉPARER UNE CIBLE D'OXYDE CONDUCTEUR AU GRAPHÈNE COMPOSITE ET LEUR FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/109684    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/076825
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 06.05.2014
CIB :
C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01)
Déposants : WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [CN/CN]; NO.122 Luoshi Rd, Hongshan District Wuhan, Hubei 430070 (CN)
Inventeurs : CHEN, Fei; (CN).
YANG, Shuang; (CN).
WU, Junyan; (CN).
SHEN, Qiang; (CN).
PEREZ, J A Galaviz; (CN).
SCHOENUNG, J M; (CN).
ZHANG, Lianmeng; (CN)
Mandataire : HUBEI WUHAN YONGJIA PATENT AGENCY COMPANY; XU, Jing 708 Zhaofu International Building, No.717 Wuluo Rd., Wuchang District Wuhan, Hubei 430072 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410028577.3 22.01.2014 CN
Titre (EN) METHODS FOR PREPARING COMPOSITE GRAPHENE CONDUCTIVE OXIDE TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM THEREOF
(FR) PROCÉDÉS POUR PRÉPARER UNE CIBLE D'OXYDE CONDUCTEUR AU GRAPHÈNE COMPOSITE ET LEUR FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
(ZH) 石墨烯复合导电氧化物靶材及其透明导电薄膜的制备方法
Abrégé : front page image
(EN)The invention is a method for preparing a composite graphene conductive oxide target and a transparent conductive film thereof, specifically comprising: using high-purity graphene and a conductive oxide powder as raw materials, with the mass content of the graphene being 0.05%-2%; uniformly mixing same by a liquid phase method, stirring and ultrasound-treating in a solvent respectively, then mixing and drying to obtain a composite graphene conductive oxide powder; subjecting the powder to electric field activated sintering to obtain the high-density and high-conductivity composite graphene conductive oxide target, wherein the sintering temperature is 900℃-1400℃, the pressure is 0-100MPa and the temperature-holding time is 0-30 min; then performing a magnetron sputtering deposition using the target so as to prepare the transparent conductive film. The advantages of the present invention are that the target has a high purity, a high density, and a significantly improved electrical conductivity; the transparent conductive film prepared from the target has an improved electrical conductivity, can maintain a relatively high visible light transmittance, and can be widely applied in the field of the manufacture of transparent electrodes.
(FR)L'invention porte sur un procédé pour préparer une cible d'oxyde conducteur au graphène composite et sur son film conducteur transparent, lequel procédé met en œuvre de façon spécifique : l'utilisation d'un graphène de haute pureté et d'une poudre d'oxyde conducteur comme matières premières, la teneur en masse du graphène étant de 0,05 % à 2 % ; le mélange uniforme de ces derniers par un procédé en phase liquide, une agitation et un traitement aux ultrasons dans un solvant, respectivement, puis un mélange et un séchage afin d'obtenir une poudre d'oxyde conducteur au graphène composite ; le fait de soumettre la poudre à un frittage activé par un champ électrique pour obtenir la cible d'oxyde conducteur au graphène composite de densité élevée et de conductivité élevée, la température de frittage étant de 900° C à 1400° C, la pression étant de 0 à 100 MPa et le temps de maintien en température étant de 0 à 30 min ; puis la réalisation d'une déposition par pulvérisation cathodique par magnétron à l'aide de la cible de façon à préparer le film conducteur transparent. Les avantages de la présente invention sont que la cible a une pureté élevée, une densité élevée et une conductivité électrique significativement améliorée ; le film conducteur transparent préparé à partir de la cible a une conductivité électrique améliorée, il peut maintenir un facteur de transmission de la lumière visible relativement élevé, et il peut être largement appliqué dans le domaine de la fabrication d'électrodes transparentes.
(ZH)本发明是一种石墨烯复合导电氧化物靶材及其透明导电薄膜的制备方法,具体是:利用高纯石墨烯和导电氧化物粉体为原料,石墨烯的质量含量为0.05~2%,采用液相法进行均匀混合,经过在溶剂中分别搅拌、超声,然后混合、干燥得到石墨烯复合导电氧化物粉体;该粉体进行电场活化烧结,得到高致密、高导电的石墨烯复合导电氧化物靶材,烧结温度为900~1400℃,压力为0~100MPa,保温时间为0~30分钟;然后利用该靶材进行磁控溅射沉积,制备透明导电薄膜。本发明优点是靶材的纯度高、致密度高,并且导电性能得到大大提高,利用靶材制备的透明导电薄膜,导电性得到改善,并可保持较高的可见光透过率,可广泛用于透明电极制造领域。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)