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1. (WO2015109679) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE MODÉLISATION DE L'EFFET DE CONTRAINTE DE STI POUR DISPOSITIF MOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/109679    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/076252
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 25.04.2014
CIB :
G06F 17/50 (2006.01)
Déposants : THE INSTITUTE OF MICROELECTRONICS OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3, Bei-Tu-Cheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Inventeurs : BU, Jianhui; (CN).
LI, Shuzhen; (CN).
LUO, Jiajun; (CN).
HAN, Zhengsheng; (CN)
Mandataire : BEIJING BRIGHT & RIGHT LAW FIRM; Suite 1008, Kuntai Int'l Mansion B12 Chaowai Avenue, Chaoyang District Beijing 100020 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410040388.8 27.01.2014 CN
Titre (EN) STI STRESS EFFECT MODELLING METHOD AND APPARATUS FOR MOS DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE MODÉLISATION DE L'EFFET DE CONTRAINTE DE STI POUR DISPOSITIF MOS
(ZH) MOS器件的STI应力效应建模方法及装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are an STI stress effect modelling method and apparatus for an MOS device, which belong to the technical field of device parameter extraction and modelling. The method comprises: introducing the influence of temperature parameters on the STI stress effect of the MOS device, to form a function that the STI stress effect of the MOS device changes with the temperature parameters; extracting a model parameter Model1 of the MOS device at normal temperature; on the basis of Model1, extracting a parameter Model2 that an STI stress influences the performance of the MOS device at normal temperature; and on the basis of Model2, extracting fitting parameters of the MOS device from the function, to obtain final model parameters. The apparatus comprises: a first module, a second module, a third module and a fourth module. The present invention can accurately describe the influence of temperature on the STI stress effect of an MOS device by establishing a function that the STI stress effect of the MOS device changes with temperature parameters, so that the extracted model parameters are more accurate and reliable.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil de modélisation de l'effet de contrainte de STI pour un dispositif MOS, qui appartiennent au domaine technique de la modélisation et de l'extraction de paramètres de dispositifs. Le procédé comporte les étapes consistant à: introduire l'influence de paramètres de température sur l'effet de contrainte de STI du dispositif MOS, pour former une fonction d'après laquelle l'effet de contrainte de STI du dispositif MOS évolue avec les paramètres de température; extraire un paramètre de modèle Model1 du dispositif MOS à une température normale; d'après Model1, extraire un paramètre Model2 d'après lequel une contrainte de STI influence les performances du dispositif MOS à température normale; et d'après Model2, extraire des paramètres d'ajustement du dispositif MOS de la fonction, pour obtenir des paramètres finals du modèle. L'appareil comporte: un premier module, un deuxième module, un troisième module et un quatrième module. La présente invention est capable de décrire avec exactitude l'influence de la température sur l'effet de contrainte de STI d'un dispositif MOS en établissant une fonction d'après laquelle l'effet de contrainte de STI du dispositif MOS évolue avec des paramètres de température, en sorte que les paramètres de modèle extraits sont plus exacts et plus fiables.
(ZH)本发明公开了一种MOS器件的STI应力效应建模方法及装置,属于器件提参建模技术领域。所述方法包括:引入温度参数对MOS器件的STI应力效应的影响,形成MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数;提取常温下的MOS器件的模型参数Model1;以Model1为基础,提取常温下STI应力对MOS器件性能影响的参数Model2;以Model2为基础,提取函数中MOS器件的拟合参数,获得最终模型参数。所述装置包括:第一模块、第二模块、第三模块及第四模块。本发明通过建立MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数,能够准确地描述出温度对MOS器件STI应力效应的影响,使得提取的模型参数更加准确可靠。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)