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1. (WO2015109579) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/109579    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/071508
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 26.01.2014
CIB :
H01L 33/54 (2010.01), H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : SHANGHAI REFOND OPTOELECTRONICS CO., LTD [CN/CN]; Room 8650, Building 1 No. 1758, Luchaogang Road, Luchaogang Town, Pudong New District Shanghai 201306 (CN)
Inventeurs : PEI, Xiaoming; (CN).
CAO, Yuxing; (CN)
Mandataire : SHENZHEN ZHONGYI PATENT AND TRADEMARK OFFICE; 4th FL. West(PO Box No.5), Old Special Zone Newspaper Building No. 1014, Shennan Rd., C., Futian Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LED
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(ZH) 一种LED
Abrégé : front page image
(EN)An LED (12), comprising a transparent cover (13), an LED wafer (4), and an electric conductor (6, 7) welded on an electrode (8, 9) of the LED wafer. The transparent cover is provided with a recess (1), two electrically isolated conducting layers (3) are arranged at the bottom face of the recess, the conducting layers extend to the bottom face of the cover via the side face of the recess, and the electric conductors are fixedly arranged in the transparent cover via the conducting layers in the recess. A conducting layer at the bottom face of the transparent cover is directly welded on an application-end substrate, thereby reducing the thermal resistance of a support required in encapsulation, facilitating heat dissipation of a PN junction of the LED wafer, and increasing the reliability of an LED product.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente (DEL) (12) qui comprend un couvercle transparent (13), une tranche de DEL (4) et un conducteur électrique (6, 7) soudé sur une électrode (8, 9) de la tranche de DEL. Le couvercle transparent est pourvu d'un renfoncement (1), deux couches conductrices électriquement isolées (3) sont agencées au niveau de la face inférieure du renfoncement, les couches conductrices s'étendent jusqu'à la face inférieure du couvercle en passant par la face latérale du renfoncement, et les conducteurs électriques sont agencés fixes dans le couvercle transparent par l'intermédiaire des couches conductrices dans le renfoncement. Une couche conductrice au niveau de la face inférieure du couvercle transparent est directement soudée sur un substrat d'extrémité d'application, ce qui permet de réduire la résistance thermique d'un support nécessaire dans l'encapsulation, de faciliter la dissipation de chaleur d'une jonction PN de la tranche de DEL et d'augmenter la fiabilité d'un produit à DEL.
(ZH)一种LED(12),包括透明罩壳(13)、LED晶片(4)以及焊接于LED晶片的电极(8、9)的导电体(6、7),透明罩壳具有凹穴(1),凹穴的底面设有两个电隔离的导电层(3),导电层经凹穴的侧面延至罩壳的底面,导电体经由凹穴内的导电层固定设置于透明罩壳。通过透明罩壳底面的导电层直接焊接于应用端基板上,减去了封装所需支架的热阻,利于LED晶片PN结散热,增强LED产品可靠性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)