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1. (WO2015109125) MODÉLISATION DE RÉSISTANCE-CONDENSATEUR (RC) DÉPENDANT DE LA TENSION SUR PUCE POUR RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE AU NIVEAU DU SYSTÈME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/109125    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/011658
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 15.01.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.11.2015    
CIB :
G06F 17/50 (2006.01), G01R 31/28 (2006.01), G11C 5/14 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : COUTTS, Ryan Michael; (US)
Mandataire : WORLEY, Eugene R.; Loza & Loza, LLP 305 North Second Avenue, #127 Upland, CA 91786 (US)
Données relatives à la priorité :
14/157,451 16.01.2014 US
Titre (EN) VOLTAGE DEPENDENT DIE RC MODELING FOR SYSTEM LEVEL POWER DISTRIBUTION NETWORKS
(FR) MODÉLISATION DE RÉSISTANCE-CONDENSATEUR (RC) DÉPENDANT DE LA TENSION SUR PUCE POUR RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE AU NIVEAU DU SYSTÈME
Abrégé : front page image
(EN)Techniques for determining the voltage-dependent capacitance of a circuit are described herein. In one embodiment, a method for determining voltage-dependent capacitance (310) of a circuit comprises measuring a parameter of the circuit at each one of a plurality of voltages, and, for each voltage, determining a capacitance of the circuit at the voltage by fitting a resistor-capacitor (RC) model of the circuit to the measured parameter of the circuit at the voltage.
(FR)L'invention concerne des techniques permettant de déterminer la capacité d'un circuit variant en fonction de la tension. Selon un mode de réalisation, un procédé pour déterminer la capacité d'un circuit variant en fonction de la tension comprend les étapes consistant à mesurer un paramètre du circuit à chacune des diverses tensions et, pour chaque tension, à déterminer une capacité du circuit à cette tension en adaptant un modèle de résistance-condensateur (RC) du circuit au paramètre du circuit mesuré à ladite tension.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)