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1. (WO2015109105) AMÉLIORATION RÉSONANTE DE LA PHOTO-IONISATION D'ATOMES GAZEUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/109105    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/011626
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 15.01.2015
CIB :
B01D 59/46 (2006.01), H01J 49/24 (2006.01), G01N 27/64 (2006.01)
Déposants : ZEROK NANO TECH CORPORATION [US/US]; 642b Main Street Gaithersburg, MD 20878 (US)
Inventeurs : KNUFFMAN, Brenton, J.; (US).
STEELE, Adam, V.; (US)
Mandataire : DURRANCE, Nathaniel; (US)
Données relatives à la priorité :
61/929,348 20.01.2014 US
Titre (EN) RESONANT ENHANCEMENT OF PHOTOIONIZATION OF GASEOUS ATOMS
(FR) AMÉLIORATION RÉSONANTE DE LA PHOTO-IONISATION D'ATOMES GAZEUX
Abrégé : front page image
(EN)A system and method for using a high-performance photoionization subsystem are disclosed. Embodiments of the present disclosure employ narrow bandwidth laser radiation to selectively excite ionizing resonant states of gaseous atoms in electric fields. This subsystem and method may be incorporated in an ion source producing ions by photoionizing gaseous atoms; the resultant ions may be employed to efficiently produce an ion beam of high brightness.
(FR)L'invention concerne un système et un procédé pour utiliser un sous-système de photo-ionisation à haute performance. Des modes de réalisation de la présente invention emploient un rayonnement laser à largeur de bande étroite pour exciter sélectivement des états résonants ionisants d'atomes gazeux dans des champs électriques. Le sous-système et le procédé peuvent être incorporés dans une source d'ions produisant des ions par photo-ionisation d'atomes gazeux; les ions obtenus peuvent être employés pour produire efficacement un faisceau d'ions de brillance élevée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)