WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015109088) CIRCUIT DE PROTECTION ESD À BLOCAGE DE NIVEAU, PRÉSENTANT UNE TENSION DE DÉCLENCHEMENT MODIFIABLE SELON LE PLAN DE CIRCUIT, ET UNE TENSION DE MAINTIEN SUPÉRIEURE À LA TENSION D'ALIMENTATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/109088    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/011593
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 15.01.2015
CIB :
H01L 27/02 (2006.01)
Déposants : CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 198 Champion Court San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : LEE, Sungkwon; (US).
BETTMAN, Roger; (US).
DHANRAJ, Sai Prashanth; (US).
HO, Dung; (US).
LUQUETTE, Leo, F.; (US).
GATABI, Iman Rezanezhad; (US).
WALKER, Andrew; (US)
Données relatives à la priorité :
61/928,235 16.01.2014 US
62/027,440 22.07.2014 US
14/560,135 04.12.2014 US
Titre (EN) ESD CLAMP WITH A LAYOUT-ALTERABLE TRIGGER VOLTAGE
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION ESD À BLOCAGE DE NIVEAU, PRÉSENTANT UNE TENSION DE DÉCLENCHEMENT MODIFIABLE SELON LE PLAN DE CIRCUIT, ET UNE TENSION DE MAINTIEN SUPÉRIEURE À LA TENSION D'ALIMENTATION
Abrégé : front page image
(EN)An ESD device that includes a gate and an n-drain region isolated from the gate and formed at least partially within an n-well region, which in turn is formed at least partially within a deep n-well region. The doping levels of the n-drain region, the n-well region and the deep n-well region are in a descending order. The ESD device has trigger and holding voltages, above the operation voltage of its protected circuit, which are layout-configurable by altering the distance between the n-drain and a side edge of the n-well region.
(FR)Dispositif de protection contre les décharges électrostatique (ESD) qui comprend une grille et une zone de drain N isolée de la grille et formée au moins partiellement à l'intérieur d'une zone de caisson N profond. Les niveaux de dopage de la région de drain N présentent un ordre décroissant entre la zone de drain N, la zone de caisson N et la zone de caisson N profond. Le dispositif de protection ESD présente une tension de déclenchement et une tension de maintien supérieures à la tension de fonctionnement de son circuit protégé, lesdites tensions pouvant être modulées par le biais du plan du circuit, par modification de la distance séparant le drain N et un bord latéral de la zone de caisson N.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)