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1. (WO2015108842) PROCÉDÉ SÉLECTIF D'ATTAQUE CHIMIQUE DE MÉTAL/OXYDE MÉTALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/108842    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/011130
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 13.01.2015
CIB :
C23F 1/34 (2006.01), C23F 1/36 (2006.01), C23F 1/38 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : SACHEM, INC. [US/US]; 821 East Woodward Street Austin, Texas 78704 (US)
Inventeurs : VERMEULEN, Paul; (NL).
ALLEN, Craig; (US)
Mandataire : ADAMS, Thomas W.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/927,346 14.01.2014 US
Titre (EN) SELECTIVE METAL/METAL OXIDE ETCH PROCESS
(FR) PROCÉDÉ SÉLECTIF D'ATTAQUE CHIMIQUE DE MÉTAL/OXYDE MÉTALLIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a process for selectively etching molybdenum or titanium relative to a oxide semiconductor film, including providing a substrate comprising a layer of oxide semiconductor and a layer comprising molybdenum or titanium on the layer of oxide semiconductor; preparing the substrate by applying a photoresist layer over the layer comprising molybdenum or titanium, and then patterning and developing the photoresist layer to form an exposed portion of the layer comprising molybdenum or titanium; providing a composition comprising ammonia or ammonium hydroxide, a quaternary ammonium hydroxide and a peroxide; and applying the composition to the exposed portion for a time sufficient to etch and remove the exposed portion of the layer comprising molybdenum or titanium, wherein the etching selectively removes the molybdenum or titanium relative to the oxide semiconductor.
(FR)La présente invention concerne un procédé d'attaque chimique sélective de molybdène ou de titane par rapport à un film semi-conducteur d'oxyde, incluant la fourniture d'un substrat comprenant une couche de semi-conducteur d'oxyde et une couche comprenant du molybdène ou du titane sur la couche de semi-conducteur d'oxyde; la préparation du substrat par application d'une couche photorésistante sur la couche comprenant le molybdène ou le titane, et ensuite en imageant et développant la couche photorésistante pour former une portion exposée de la couche comprenant le molybdène ou le titane; la fourniture d'une composition comprenant de l'ammoniac ou de l'hydroxyde d'ammonium, un hydroxyde d'ammonium quaternaire et un peroxyde; et l'application de la composition à la portion exposée pendant un temps suffisant pour attaquer chimiquement et éliminer la portion exposée de la couche comprenant le molybdène ou le titane, où l'attaque chimique élimine sélectivement le molybdène ou le titane par rapport au semi-conducteur d'oxyde.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)