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1. (WO2015108813) CIRCUITERIE POUR CHARGER UNE BATTERIE DÉCHARGÉE DANS UN DISPOSITIF MÉDICAL IMPLANTABLE SANS CHARGE D'ENTRETIEN PASSIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/108813    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/011001
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 12.01.2015
CIB :
A61N 1/378 (2006.01), A61N 1/36 (2006.01), H02J 7/04 (2006.01)
Déposants : BOSTON SCIENTIFIC NEUROMODULATION CORPORATION [US/US]; 25155 Rye Canyon Loop Valencia, CA 91355 (US)
Inventeurs : MARNFELDT, Goran, N.; (US).
CARBUNARU, Rafael; (US).
PARRAMON, Jordi; (US)
Mandataire : LEWIS, Terril; (US)
Données relatives à la priorité :
61/928,342 16.01.2014 US
14/593,669 09.01.2015 US
Titre (EN) CIRCUITRY FOR CHARGING A DEPLETED BATTERY IN AN IMPLANTABLE MEDICAL DEVICE WITHOUT PASSIVE TRICKLE CHARGING
(FR) CIRCUITERIE POUR CHARGER UNE BATTERIE DÉCHARGÉE DANS UN DISPOSITIF MÉDICAL IMPLANTABLE SANS CHARGE D'ENTRETIEN PASSIVE
Abrégé : front page image
(EN)Charging circuitry is disclosed for receiving a magnetic charging field and using the received field to charge a battery in an Implantable Medical Device (IMD) without passive trickle charging, and even if the battery voltage (Vbat) is severely depleted. The charging circuitry includes a source capable of producing a constant charging current via a current mirror that receives a reference current for setting the charging current. Two reference current generators are provided: a first enabled when Vbat is severely depleted to produce a small non-adjustable reference current; and a second enabled once Vbat is recovered to produce a reference current that can be controlled to adjust the charging current. Because Vbat may be too low, the first generator is powered by a DC voltage produced from the magnetic charging field. A passively-generated undervoltage control signal is used to transition between use of the first and second generators.
(FR)L'invention concerne une circuiterie de charge pour recevoir un champ de charge magnétique et utiliser le champ reçu pour charger une batterie dans un dispositif médical implantable (IMD) sans charge d'entretien passive, et même si la tension de batterie (Vbat) est fortement diminuée. La circuiterie de charge comprend une source pouvant produire un courant de charge constant par l'intermédiaire d'un miroir de courant qui reçoit un courant de référence pour définir le courant de charge. Deux générateurs de courant de référence comprennent : un premier générateur activé lorsque Vbat est fortement diminuée pour produire un faible courant de référence non-réglable; et un second générateur activé lorsque Vbat est rétablie pour produire un courant de référence qui peut être commandé pour régler le courant de charge. Étant donné que Vbat peut être trop faible, le premier générateur est alimenté par une tension continue produite par le champ de charge magnétique. Un signal de commande de sous-tension, généré de façon passive, est utilisé pour commuter entre l'utilisation des premier et second générateurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)