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1. (WO2015108784) PROCÉDÉ POUR DÉPÔT DE PLACAGE DE CUIVRE À GRAINS FINS SUR UN SUBSTRAT MÉTALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/108784    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/010855
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 09.01.2015
CIB :
C25D 5/34 (2006.01)
Déposants : THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY [US/US]; 3000 El Camino Real, Building Five, Third Floor Palo Alto, CA 94306 (US)
Inventeurs : FARVID, Ali, A.; (US)
Mandataire : JACOBS, Ron; (US)
Données relatives à la priorité :
61/927,637 15.01.2014 US
Titre (EN) A METHOD FOR PLATING FINE GRAIN COPPER DEPOSIT ON METAL SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ POUR DÉPÔT DE PLACAGE DE CUIVRE À GRAINS FINS SUR UN SUBSTRAT MÉTALLIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method of depositing an oxygen-free electronic copper layer on a metal substrate is provided that includes cleaning a substrate surface, electropolishing the substrate surface activating the substrate surface, depositing nickel on the substrate; and depositing copper on the substrate using a cyanide copper strike bath and a cyanide copper plate bath, where a periodic pulse and a reverse periodic pulse current is applied using a pulse periodic reverse current power supply, where the deposited oxygen-free copper comprises a fine-grained, equiaxed structure having a uniform surface geometry and less than 10% thickness variation across all surfaces.
(FR)L'invention porte sur un procédé de dépôt d'une couche de cuivre électronique, exempt d'oxygène, sur un substrat métallique, qui comprend le nettoyage d'une surface de substrat, le polissage électrolytique de la surface du substrat, l'activation de la surface du substrat, le dépôt de nickel sur le substrat et le dépôt de cuivre sur le substrat à l'aide d'un bain d'amorçage au cyanure de cuivre et d'un bain de placage au cyanure de cuivre, un courant pulsé périodique et un courant pulsé périodique inverse étant appliqués à l'aide d'une alimentation électrique à courant inverse, périodique et pulsé, le cuivre exempt d'oxygène déposé comportant une structure de grains fins isométriques ayant une géométrie de surface uniforme et moins de 10% de variation d'épaisseur sur toutes les surfaces.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)