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1. (WO2015108648) INDUCTEUR D'INTERCONNEXION CONDUCTRICE EMPILÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/108648    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/070575
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 16.12.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.11.2015    
CIB :
H01L 23/498 (2006.01), H01L 49/02 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US)
Inventeurs : KIM, Daeik Daniel; (US).
VELEZ, Mario Francisco; (US).
ZUO, Chengjie; (US).
YUN, Changhan Hobie; (US).
KIM, Jonghae; (US).
NOWAK, Matthew Michael; (US)
Mandataire : LENKIN, Alan M.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/155,187 14.01.2014 US
Titre (EN) A STACKED CONDUCTIVE INTERCONNECT INDUCTOR
(FR) INDUCTEUR D'INTERCONNEXION CONDUCTRICE EMPILÉ
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit device includes a first substrate supporting a pair of conductive interconnects, for example pillars. The device also includes a second substrate on the pair of conductive interconnects. The pair of conductive interconnects is arranged to operate as a first 3D solenoid inductor. The device further includes a conductive trace coupling the pair of conductive interconnects to each other.
(FR)L'invention concerne un dispositif de circuit intégré qui comprend un premier substrat supportant une paire d'interconnexions conductrices, par exemple des piliers. Le dispositif comprend également un second substrat sur la paire d'interconnexions conductrices. La paire d'interconnexions conductrices est agencée de sorte à fonctionner comme premier inducteur solénoïde 3D. Le dispositif comprend en outre une piste conductrice couplant les deux interconnexions conductrices l'une à l'autre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)