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1. (WO2015108558) REVÊTEMENT DE CHAMBRE EN LIGNE POUR RÉGULER L'ÉCAILLAGE DE PARTICULES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/108558    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/037242
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 08.05.2014
CIB :
H01L 21/677 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : HAMMOND, IV, Edward P.; (US).
KOCHHAR, Damanjot Kaur; (US).
STEWART, Michael P.; (US).
TANAKA, Tsutomu; (US).
PONNEKANTI, Hari K.; (US).
LANE, Christopher T.; (US).
WANG, Ruiping; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, LLP 24 Greenway Plaza, Suite 1600 Houston, Texas 77046 (US)
Données relatives à la priorité :
61/928,848 17.01.2014 US
Titre (EN) IN-LINE CHAMBER COATING TO CONTROL PARTICLE FLAKING
(FR) REVÊTEMENT DE CHAMBRE EN LIGNE POUR RÉGULER L'ÉCAILLAGE DE PARTICULES
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present invention relate to a method for reducing flaking in an in-line processing system. The method includes transferring a substrate to a processing region within a chamber, and depositing a silicon nitride layer on the substrate. The substrate is then transferred from the processing region. A silicon dioxide layer is then deposited over components of the chamber to cover any silicon nitride deposited on the chamber components during the silicon nitride deposition. The silicon dioxide layer disposed on the silicon nitride layer reduces flaking of the silicon nitride layer from the chamber components.
(FR)Selon des modes de réalisation, la présente invention porte sur un procédé permettant de réduire l'écaillage dans un système de traitement en ligne. Le procédé consiste à transférer un substrat vers une zone de traitement à l'intérieur d'une chambre, et à déposer une couche de nitrure de silicium sur le substrat. Le substrat est alors transféré depuis la zone de traitement. Une couche de dioxyde de silicium est alors déposée au-dessus de composants de la chambre pour recouvrir tout nitrure de silicium déposé sur les composants de la chambre pendant le dépôt de nitrure de silicium. La couche de dioxyde de silicium déposée sur la couche de nitrure de silicium réduit l'écaillage de la couche de nitrure de silicium depuis les composants de la chambre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)