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1. (WO2015108197) DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE DE TYPE À RÉSONATEUR EXTÉRIEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/108197    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/051358
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 20.01.2015
CIB :
H01S 5/14 (2006.01), H01S 5/022 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP)
Inventeurs : KONDO Jungo; (JP).
EJIRI Tetsuya; (JP).
ASAI Keiichiro; (JP).
OKADA Naotake; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-007597 20.01.2014 JP
Titre (EN) EXTERNAL RESONATOR TYPE LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE DE TYPE À RÉSONATEUR EXTÉRIEUR
(JA) 外部共振器型発光装置
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the invention is to obtain an external resonator type light emitting device in which a highly stable wavelength is ensured and optical output variation is suppressed. The external resonator type light emitting device comprises: a semiconductor laser light source having an active layer for emitting laser light; and a grating element including a ridge-type optical waveguide, the longitudinal direction of which is the optical axis direction of the laser light emitted from the active layer and a Bragg grating (BG) provided at an intermediate portion of the optical waveguide and oscillating light having a predetermined wavelength component of the incident laser light between the semiconductor laser light source and the BG to output the oscillated light to the outside of the device as exit light. When the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser light source is denoted by λ1 and the central wavelength and full width at half maximum of the reflectivity profile of the BG are denoted by λG and ΔλG, respectively, the relationship λ1 < λG - ΔλG/2 is satisfied at least in the temperature range of -10°C to 30°C, inclusive, and the wavelength region of the exit light falls in the range of λG - ΔλG/2 to λG + ΔλG/2, inclusive.
(FR)L'invention concerne un dispositif émettant de la lumière de type à résonateur extérieur dans lequel une longueur d'onde extrêmement stable est garantie et une variation de la sortie optique est supprimée. Le dispositif émettant de la lumière de type à résonateur extérieur comprend : une source de lumière laser à semi-conducteur ayant une couche active permettant d'émettre de la lumière laser; et un élément réseau comprenant un guide d'ondes optiques de type à crête, dont la direction longitudinale est la direction d'axe optique de la lumière laser émise par la couche active, et un réseau de Bragg (BG) situé au niveau d'une partie intermédiaire du guide d'ondes optiques et faisant osciller la lumière ayant un composant de longueur d'onde prédéterminé de la lumière laser incidente entre la source de lumière laser à semi-conducteur et le BG pour produire en sortie la lumière ayant oscillé vers l'extérieur du dispositif en tant que lumière de sortie. Si la longueur d'onde de la lumière laser émise par la source de lumière laser à semi-conducteur est représentée par λ1 et la longueur d'onde centrale et la largeur totale à la moitié du maximum du profil de réflectivité du BG sont représentées respectivement par λG et ΔλG, la relation λ1 < λG - ΔλG/2 est respectée au moins dans la plage de température de -10 °C à 30 °C (inclus), et la région de longueur d'onde de la lumière de sortie se trouve dans la plage de λG - ΔλG/2 à λG + ΔλG/2 (inclus).
(JA) 高い波長安定性が確保されるとともに、光出力変動が抑制されてなる外部共振器型発光装置を実現する。外部共振器型発光装置が、レーザ光を発する活性層を有する半導体レーザ光源と、活性層から発せられたレーザ光の光軸方向を長手方向とするリッジ型光導波路を備えるとともに、光導波路の途中に設けられたブラッググレーティング(BG)を備えており、入射したレーザ光のうち所定の波長成分の光を半導体レーザ光源とBGとの間で発振させて装置外部への出射光として出射するグレーティング素子と、を備え、半導体レーザ光源から発せられるレーザ光の波長をλ1とし、BGの反射率プロファイルの中心波長をλとし、半値全幅をΔλGとするときに、少なくとも-10℃以上30℃以下においてλ1<λ-ΔλG/2であるとともに、出射光の波長域がλ-ΔλG/2以上λ+ΔλG/2以下であるようにした。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)