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1. (WO2015108083) FILM MINCE ZnO DE TYPE n À DENSITÉ DE PORTEURS ÉLEVÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/108083    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/050839
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 14.01.2015
CIB :
H01L 21/363 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku Tokyo 1048260 (JP)
Inventeurs : NAKATA Kunihiko; (JP).
YAMAMOTO Tetsuya; (JP).
MAKINO Hisao; (JP)
Mandataire : KIYOHARA Yoshihiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-006297 16.01.2014 JP
Titre (EN) HIGH-CARRIER-DENSITY n-TYPE ZnO THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) FILM MINCE ZnO DE TYPE n À DENSITÉ DE PORTEURS ÉLEVÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 高キャリア密度n型ZnO薄膜及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide: a Zn-polarity high-carrier-density n-type ZnO thin film that has excellent heat resistance and electrical properties and that can be produced using a simple method without requiring a complicated procedure as exemplified by insertion of a buffer layer or a polarity surface inversion layer as in the prior art; and a method for manufacturing the high-carrier-density n-type ZnO thin film. [Solution] A high-carrier-density n-type ZnO thin film containing a zinc atom, an oxygen atom, and an additive atom, wherein said thin film is characterized in comprising: a first ZnO thin film layer obtained by adding a first additive selected from the group consisting of Al, Ga, and B atoms and a second additive selected from the group consisting of Ti, Zr, and Hf atoms, the first ZnO thin film layer having a Zn polarity surface; and a second ZnO thin film layer formed on the first ZnO thin film layer and obtained by adding only the first additive selected from the group consisting of Al, Ga, and B atoms, the second ZnO thin film layer having a Zn polarity surface.
(FR)L'invention a pour but de fournir : un film mince ZnO de type n, à densité de porteurs élevée, à polarité Zn, qui possède d'excellentes caractéristiques en termes de résistance thermique et de propriétés électriques et qui peut être fabriqué en utilisant un procédé simple qui ne nécessite pas de processus compliqué, comme par exemple l'insertion d'une couche tampon ou d'une couche d'inversion de surface de polarité, comme dans l'état antérieur de la technique; un procédé de fabrication du film mince ZnO de type n, à densité de porteurs élevée. L'invention porte sur un film mince ZnO de type n, à densité de porteurs élevée, contenant un atome de zinc, un atome d'oxygène et un atome d'additif, ledit film mince étant caractérisé par le fait qu'il comporte : une première couche de film mince ZnO obtenue par ajout d'un premier additif sélectionné dans le groupe consistant en des atomes Al, Ga et B et d'un second additif sélectionné dans le groupe consistant en des atomes Ti, Zr et Hf, la première couche de film mince ZnO ayant une surface de polarité Zn; une seconde couche de film mince ZnO formée sur la première couche de film mince ZnO et obtenue par ajout seulement du premier additif sélectionné dans le groupe consistant en des atomes Al, Ga et B, la seconde couche de film mince ZnO ayant une surface de polarité Zn.
(JA)(課題)耐熱性及び電気特性に優れ、従来技術であるバッファ層あるいは極性面反転層挿入を例とする煩雑な製法を必要とせずに簡易な方法で作製することができるZn極性高キャリア密度n型ZnO薄膜及びその製造方法を提供する。 (解決手段)亜鉛原子と、酸素原子と添加原子とを含む高キャリア密度n型ZnO薄膜であって、Al、Ga及びB原子からなる群から選択される第1添加剤とTi、Zr及びHf原子からなる群から選択される第2添加剤とが添加されてなり、Zn極性面を有する第1ZnO薄膜層と、前記第1ZnO薄膜層上に形成され、Al、Ga及びB原子からなる群から選択される第1添加剤のみが添加されてなり、Zn極性面を有する第2ZnO薄膜層と、からなることを特徴とする高キャリア密度n型ZnO薄膜とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)