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1. (WO2015107960) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT DU TYPE RÉSONATEUR EXTERNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/107960    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/050279
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 07.01.2015
CIB :
H01S 5/14 (2006.01), G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/42 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP)
Inventeurs : KONDO Jungo; (JP).
YAMAGUCHI Shoichiro; (JP).
YOSHINO Takashi; (JP).
TAKEUCHI Yukihisa; (JP)
Mandataire : HOSODA Masutoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-004240 14.01.2014 JP
Titre (EN) EXTERNAL RESONATOR TYPE LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT DU TYPE RÉSONATEUR EXTERNE
(JA) 外部共振器型発光装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser light source (2) is equipped with an active layer (5) for emitting semiconductor laser light. A grating element comprises: a ridge-type optical waveguide (18) having an incident surface (11a) on which the semiconductor laser light is incident and an exit surface (11b) from which exit light having a desired wavelength goes out; a Bragg grating (12) consisting of recesses and protrusions formed in the ridge-type optical waveguide (18); an exit-side propagation portion (20) provided between the Bragg grating (12) and the exit surface (11b). A laser oscillation occurs in the region of wavelengths reflected by the Bragg grating. The optical waveguide width (Wm) at the Bragg grating (12) is different from the optical waveguide width (Wout) at the exit surface.
(FR)La présente invention concerne une source (2) de lumière laser à semi-conducteur qui est dotée d'une couche (5) active destinée à émettre de la lumière laser à semi-conducteur. Un élément de réseau comprend : un guide (18) d'onde optique du type à moulures ayant une surface (11a) incidente sur laquelle la lumière laser à semi-conducteur est incidente et une surface (11b) de sortie de laquelle la lumière de sortie ayant une longueur d'onde souhaitée sort ; un réseau (12) de Bragg constitué d'évidements et de parties en saillie formés dans le guide (18) d'onde du type à moulures ; une partie (20) de propagation côté sortie disposée entre le réseau (12) de Bragg et la surface (11b) de sortie. Une oscillation laser se produit dans la zone de longueurs d'onde réfléchies par le réseau de Bragg. La largeur de guide d'onde optique (Wm) sur le réseau (12) de Bragg est différente de la largeur de guide d'onde optique (Wout) sur la surface de sortie.
(JA)半導体レーザ光源2が、半導体レーザ光を発振する活性層5を備える。グレーティング素子が、半導体レーザ光が入射する入射面11aと所望波長の出射光を出射する出射面11bを有するリッジ型光導波路18、リッジ型光導波路18内に形成された凹凸からなるブラッググレーティング12、およびブラッググレーティング12と出射面11bとの間に設けられた出射側伝搬部20を備える。ブラッググレーティングによる反射波長域でレーザ発振する。ブラッググレーティング12における光導波路の幅Wと出射面における光導波路の幅Woutとが異なる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)