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1. (WO2015107875) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE D'UNE TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/107875    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/000058
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 08.01.2015
CIB :
H01L 21/324 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : HOSHI, Ryoji; (JP).
KAMADA, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-006236 16.01.2014 JP
Titre (EN) HEAT-TREATMENT METHOD FOR SINGLE-CRYSTAL SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE D'UNE TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
(JA) シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a heat-treatment method for single-crystal silicon wafer, in which a heat treatment of a single-crystal silicon wafer is carried out under an oxidizing atmosphere, the method being characterized in that the heat treatment is carried out based on conditions determined from the correlation relationships among three elements: the heat-treatment temperature when carrying out the heat treatment, the oxygen concentration in the single-crystal silicon wafer prior to carrying out the heat treatment, and the void size in the single-crystal silicon wafer prior to carrying out the heat treatment. This provides a heat-treatment method for single-crystal silicon wafer, which, at low costs and efficiently, ensures that void defects and minute oxygen precipitation nuclei have disappeared in a single-crystal silicon wafer through heat treatment under oxidizing atmosphere.
(FR)La présente invention concerne un procédé de traitement thermique d'une tranche de silicium monocristallin, le traitement thermique d'une tranche de silicium monocristallin étant réalisé dans une atmosphère oxydante, le procédé étant caractérisé en ce que le traitement thermique est effectué sur la base des conditions déterminées à partir des relations de corrélation entre trois éléments : la température du traitement thermique lors de la réalisation du traitement thermique, la concentration en oxygène dans la tranche de silicium monocristallin avant d'effectuer le traitement thermique, et la taille de vide dans la tranche de silicium monocristallin avant d'effectuer le traitement thermique. Ceci donne un procédé de traitement thermique d'une tranche de silicium monocristallin qui assure, à bas coût et de manière efficace, que les défauts de vide et les minuscules noyaux de précipitation d'oxygène ont disparu dans une tranche de silicium monocristallin au moyen d'un traitement thermique dans une atmosphère oxydante.
(JA) 本発明は、シリコン単結晶ウェーハに酸化性雰囲気下で熱処理を行う方法であって、前記熱処理を行う際の熱処理温度、前記熱処理を行う前の前記シリコン単結晶ウェーハ中の酸素濃度、及び前記熱処理を行う前の前記シリコン単結晶ウェーハ中のVoidサイズの3者の相関関係から求められる条件に基づいて熱処理を行うことを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法である。これにより、酸化性雰囲気下での熱処理によって、低コストで、効率的、かつ確実にシリコン単結晶ウェーハのVoid欠陥や微小な酸素析出核を消滅させるシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)