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1. (WO2015107777) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ÉNERGÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/107777    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/081229
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 26.11.2014
CIB :
G01T 1/24 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/08 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventeurs : MASUDA, Ryohichi; .
KATAYAMA, Mikio; .
KAWANISHI, Hidenori;
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-005326 15.01.2014 JP
Titre (EN) ENERGY RAY DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ÉNERGÉTIQUE
(JA) エネルギー線検出装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an energy ray detector that is light and thin and capable of making highly reliable and fast readings. An energy ray detector (1) is provided with TFTs (20) that are disposed in a grid shape and have active layers formed from semiconductors having electrical characteristics that change according to an amount of irradiated energy rays, a characteristic detection circuit unit (5) that detects information about the energy rays from changes in the electrical characteristics of each TFT (20), and a control device (60).
(FR)La présente invention concerne un détecteur de rayonnement énergétique qui est léger, peu encombrant et capable d'effectuer très rapidement des lectures très fiables. Le détecteur de rayonnement énergétique (1) comprend des transistors à couches minces (20) disposés en forme de grille et comporte des couches actives formées à partir de semi-conducteurs ayant des caractéristiques électriques qui changent en fonction de la quantité de rayonnements énergétiques irradiés, une unité à circuit de détection de caractéristique (5) qui détecte des informations concernant les rayonnements énergétiques à partir des changements de caractéristiques électriques de chaque transistor à couches minces (20), et un dispositif de commande (60).
(JA) 軽量で薄く、高信頼性かつ高速読出し可能なエネルギー線検出装置を提供する。エネルギー線検出装置(1)は、格子状に配され、照射されたエネルギー線の量に応じて電気的特性が変化する半導体で活性層を構成したTFT(20)と、各TFT(20)の電気的特性の変化から上記エネルギー線の情報を検出する、特性検出回路部(5)および制御装置(60)と、を備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)