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1. (WO2015107772) PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/107772    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/080849
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 21.11.2014
CIB :
C30B 29/36 (2006.01), C30B 23/06 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : HORI, Tsutomu; (JP).
UETA, Shunsaku; (JP).
MATSUSHIMA, Akira; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-005043 15.01.2014 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE
(FR) PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
(JA) 炭化珪素単結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing single-crystal silicon carbide is provided with which it is possible to easily separate the single-crystal silicon carbide from the pedestal. The process comprises a step (S10) in which a seed substrate is affixed to a pedestal through a stress-relieving layer, a step (S20) in which single-crystal silicon carbide is grown on the seed substrate, a step (S30) in which the single-crystal silicon carbide is separated from the pedestal at the stress-relieving layer, and a step (S40) in which the residue of the stress-relieving layer which is adherent to the single-crystal silicon carbide after the separation step (S30) is removed.
(FR)L'invention concerne un procédé pour la production de carbure de silicium monocristallin, avec lequel il est possible de séparer facilement le carbure de silicium monocristallin du socle. Le procédé comprend une étape (S10) dans laquelle un substrat germe cristallin est fixé à un socle par l'intermédiaire d'une couche de relaxation des contraintes, une étape (S20) dans laquelle du carbure de silicium monocristallin est amené à croître sur le substrat germe cristallin, une étape (S30) dans laquelle le carbure de silicium monocristallin est séparé du socle au niveau de la couche de relaxation des contraintes et une étape (S40) dans laquelle le résidu de la couche de relaxation des contraintes qui est adhérent au carbure de silicium monocristallin après l'étape de séparation (S30) est enlevé.
(JA) 炭化珪素単結晶と台座とを容易に切り離すことができる、炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。種基板と台座とを応力緩衝層を介して固定する工程(S10)と、種基板上に炭化珪素単結晶を成長させる工程(S20)と、応力緩衝層において炭化珪素単結晶と台座とを切り離す工程(S30)と、切り離す工程(S30)後の炭化珪素単結晶に付着している応力緩衝層の残渣を除去する工程(S40)とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)