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1. (WO2015107749) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN ÉLÉMENT DE CONDENSATEUR À ÉLECTROLYTE SOLIDE AU TUNGSTÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/107749    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/078949
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 30.10.2014
CIB :
H01G 9/04 (2006.01), H01G 9/00 (2006.01), H01G 9/052 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K. K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP)
Inventeurs : NAITO Kazumi; (JP).
YABE Shoji; (JP)
Mandataire : OHIE Kunihisa; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-007764 20.01.2014 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING TUNGSTEN SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN ÉLÉMENT DE CONDENSATEUR À ÉLECTROLYTE SOLIDE AU TUNGSTÈNE
(JA) タングステン固体電解コンデンサ素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides: a method for producing a capacitor element, the method involving an aging step (A) in which a voltage 1/3 to 4/5 of a formation voltage is applied to a capacitor element, on which a conductor is formed, under conditions in which the temperature is 15-50°C and the humidity is 75-90%RH; or a method for producing a capacitor element, the method involving, before the aforementioned step (A), a step (B) for retaining a capacitor element, on which a conductor is formed, under conditions in which the temperature is higher than 50°C and equal to or lower than 85°C and the humidity is 50-90%RH. According to this production method, it is possible to improve the LC properties of a tungsten solid electrolytic capacitor element having a carbon layer.
(FR)La présente invention concerne : un procédé permettant de produire un élément de condensateur, le procédé comprenant une étape de vieillissement (A) au cours de laquelle une tension comprise entre 1/3 et 4/5 d'une tension de formation est appliquée à un élément de condensateur sur lequel est formé un conducteur, dans des conditions dans lesquelles la température varie entre 15 et 50 °C et l'humidité relative varie entre 75 et 90 % ; ou un procédé permettant de produire un élément de condensateur, le procédé comportant, avant l'étape (A) susmentionnée, une étape (B) consistant à retenir un élément de condensateur sur lequel est formé un conducteur, dans des conditions dans lesquelles la température est supérieure à 50 °C et égale ou inférieure à 85 °C et l'humidité relative varie entre 50 et 90 %. Selon ce procédé de production, il est possible d'améliorer les propriétés LC d'un élément de condensateur à électrolyte solide au tungstène comportant une couche de carbone.
(JA) 本発明は、導電体を形成したコンデンサ素子に、温度15~50℃、湿度75~90%RHの条件下で、化成電圧の1/3~4/5の電圧を印加するエージング工程Aを行うコンデンサ素子の製造方法、または導電体を形成したコンデンサ素子を温度50℃超85℃以下、湿度50~90%RHの条件下に保持する工程Bを行った後に前記工程Aを行うコンデンサ素子の製造方法を提供する。本発明の製造方法によれば、カーボン層を有するタングステン固体電解コンデンサ素子のLC特性を改善することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)