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1. (WO2015107728) ÉLÉMENT PIÉZORÉSISTIF ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/107728    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/076750
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 07.10.2014
CIB :
H01L 29/84 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : KONISHI, Takahiro; (JP).
IMAI, Yutaka; (JP)
Mandataire : KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-006104 16.01.2014 JP
Titre (EN) PIEZORESISTIVE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT PIÉZORÉSISTIF ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ピエゾ抵抗素子およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A piezoresistive element (10) is provided with: a first conductive section (15) and a second conductive section (16), which are provided in a semiconductor substrate (1); and an N type semiconductor base section (11), which is configured in the semiconductor substrate (1). The piezoresistive element is also provided with: a P+ type piezoresistive section (12) that is formed in a shape of a line that connects between the first conductive section (15) and the second conductive section (16), said piezoresistive section being formed by diffusing an impurity in the semiconductor substrate (1); and N++ type adjacent sections (13, 14), which are formed at positions adjacent to, in the line width direction of the piezoresistive section (12), the piezoresistive section by diffusing an impurity in the semiconductor substrate (1).
(FR)L'invention concerne un élément piézorésistif (10) qui est pourvu : d'une première section conductrice (15) et d'une seconde section conductrice (16), qui sont disposées dans un substrat semi-conducteur (1) ; et d'une section de base semi-conductrice du type N (11), qui est configurée dans le substrat semi-conducteur (1). L'élément piézorésistif est également pourvu : d'une section piézorésistive du type P+ (12) qui est formée sous la forme d'une ligne qui relie la première section conductrice (15) et la seconde section conductrice (16), ladite section piézorésistive étant formée par diffusion d'une impureté dans le substrat semi-conducteur (1) ; et de sections adjacentes du type N++ (13, 14), qui sont formées à des positions adjacentes, dans la direction de la largeur de ligne de la section piézorésistive (12), à la section piézorésistive par diffusion d'une impureté dans le substrat semi-conducteur (1).
(JA) 半導体基板(1)に設けた第1導電部(15)および第2導電部(16)と、半導体基板(1)に構成したN型の半導体基部(11)と、を備えるピエゾ抵抗素子(10)であって、半導体基板(1)に不純物を拡散させて第1導電部(15)と第2導電部(16)との間を繋ぐ線状に形成した、P+型のピエゾ抵抗部(12)と、半導体基板(1)に不純物を拡散させてピエゾ抵抗部(12)の線幅方向に隣接する位置に形成した、N++型の隣接部(13,14)と、を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)