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1. (WO2015107453) STRUCTURE DE CAPTEUR DE PRESSION AMÉLIORÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/107453    N° de la demande internationale :    PCT/IB2015/050241
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 13.01.2015
CIB :
G01L 9/00 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome Nagaokakyo-shi Kyoto, 617-8555 (JP)
Inventeurs : KUISMA, Heikki; (FI).
YOSHIDA, Koichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
20145044 17.01.2014 FI
Titre (EN) AN IMPROVED PRESSURE SENSOR STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE CAPTEUR DE PRESSION AMÉLIORÉE
Abrégé : front page image
(EN)A microelectromechanical pressure sensor structure that comprises a planar base (21), a side wall layer (23) and a diaphragm plate (20). The side wall layer forms side walls that extend away from the planar base into contact with the diaphragm plate. The side wall layer is formed of at least three layers, a first layer (28) and a second layer (29) of insulating material and a third layer (27) of conductive material, wherein the third layer is between the first layer and the second layer. The conducting layer provides a shield electrode within the isolating side wall layer. This shield electrode is adapted to reduce undesired effects to the capacitive measurement results.
(FR)L'invention concerne une structure de capteur de pression micro-électromécanique, qui comporte une base plate (21), une couche de paroi latérale (23) et une plaque de diaphragme (20). La couche de paroi latérale forme des parois latérales qui s'éloignent de la base plate en contact avec la plaque de diaphragme. La couche de paroi latérale est formée d'au moins trois couches, une première couche (28) et une deuxième couche (29) de matériau isolant et une troisième couche (27) de matériau conducteur, la troisième couche se trouvant entre la première couche et la deuxième couche. La couche conductrice fournit une électrode de protection à l'intérieur de la couche de paroi latérale isolante. L'électrode de protection est conçue pour réduire les effets indésirables sur les résultats de mesure capacitive.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)