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1. (WO2015107164) PROCÉDÉ DE RÉGLAGE D'UN MASQUE D'UN FILTRE PLANAIRE, PRODUIT PROGRAMME D'ORDINATEUR, MÉDIUM ET DISPOSITIF DE RÉGLAGE CORRESPONDANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/107164    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/050804
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 16.01.2015
CIB :
H01P 1/20 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITE DE BRETAGNE OCCIDENTALE [FR/FR]; 3 rue des Archives F-29200 Brest (FR).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 rue Michel Ange F-75794 Paris Cedex 16 (FR)
Inventeurs : MUSOLL, Carles; (FR).
QUENDO, Cédric; (FR).
FAVENNEC, Jean-François; (FR).
RIUS, Eric; (FR).
POTELON, Benjamin; (FR)
Mandataire : GUENE, Patrick; (FR)
Données relatives à la priorité :
1450406 17.01.2014 FR
Titre (EN) METHOD FOR ADJUSTING A MASK OF A PLANAR FILTER, CORRESPONDING COMPUTER PROGRAM PRODUCT, MEDIUM AND ADJUSTMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE RÉGLAGE D'UN MASQUE D'UN FILTRE PLANAIRE, PRODUIT PROGRAMME D'ORDINATEUR, MÉDIUM ET DISPOSITIF DE RÉGLAGE CORRESPONDANTS
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for adjusting a mask of a planar filter, a candidate layout taking into account an initial value of an electric parameter, selected in accordance with an operating constraint of the filter in a predefined frequency range, including: a step of simulating an electromagnetic response of the mask, generating a simulated response representing the real behaviour of the mask in the frequency range; a step of modelling the filter by an analytical representation, generating a response modelled in accordance with the electrical parameter in the frequency range; a step of determining an optimal value of the electric parameter, bringing the modelled response closer to the simulated response; and a step of adjusting a sizing feature of an element of the layout, taking into account the optimal value. The modelling of the planar filter uses a node matrix, expressing a ratio between a voltage vector and a current vector for at least one node of the planar filter, in accordance with the at least one electric parameter.
(FR)Il est proposé un procédé de réglage d'un masque d'un filtre planaire, une topologie candidate tenant compte d'une valeur initiale d'un paramètre électrique, choisie en fonction d'une contrainte de fonctionnement du filtre sur une plage de fréquences prédéfinie, comprenant : une étape de simulation d'une réponse électromagnétique du masque, générant une réponse simulée représentative d'un comportement réel du masque sur la plage de fréquences; une étape de modélisation du filtre par une représentation analytique, générant une réponse modélisée en fonction du paramètre électrique sur la plage de fréquences; une étape de détermination d'une valeur optimale du paramètre électrique, rapprochant la réponse modélisée de la réponse simulée; et une étape d'ajustement d'une caractéristique de dimensionnement d'un élément de la topologie, tenant compte de la valeur optimale. La modélisation du filtre planaire met en œuvre une matrice nodale, traduisant une relation entre un vecteur de tension et un vecteur d'intensité pour au moins un nœud du filtre planaire, en fonction du au moins un paramètre électrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)