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1. (WO2015107009) SYSTÈME DE CHAUFFAGE COMPRENANT DES SOURCES DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/107009    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/050359
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 09.01.2015
CIB :
H01L 21/67 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Inventeurs : MÖENCH, Holger; (NL).
DERRA, Guenther Hans; (NL).
GRONENBORN, Stephan; (NL).
PEKARSKI, Pavel; (NL).
KOLB, Johanna Sophie; (NL).
CONRADS, Ralf Gordon; (NL)
Mandataire : COOPS, Peter; (NL)
Données relatives à la priorité :
14151613.8 17.01.2014 EP
Titre (EN) HEATING SYSTEM COMPRISING SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES
(FR) SYSTÈME DE CHAUFFAGE COMPRENANT DES SOURCES DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The invention describes a heating system (100) and a corresponding method of heating a heating surface (180) of an object (150, 950) to a processing temperature of at least 100°C, wherein the heating system (100) comprises semiconductor light sources (115), and wherein the heating system (100) is adapted to heat an area element of the heating surface (180) with at least 50 semiconductor light sources (115) at the same time. The heating system (100) may be part of a reactor for processing semiconductor structures. The light emitted by means of the semiconductor light sources (115) overlaps at the heating surface (180). Differences of the characteristic of one single semiconductor light source (115) may be blurred at the heating surface (180) such that a homogeneous temperature distribution across a processing surface of a, for example, wafer may be enabled.
(FR)L'invention concerne un système de chauffage (100) et un procédé correspondant de chauffage d'une surface de chauffage (180) d'un objet (150, 950) à une température de traitement d'au moins 100°C, le système de chauffage (100) comprenant des sources de lumière à semi-conducteur (115), et le système de chauffage (100) étant conçu pour chauffer une zone de la surface de chauffage (180) avec au moins 50 sources de lumière à semi-conducteur (115) en même temps. Le système de chauffage (100) peut faire partie d'un réacteur pour le traitement de structures à semi-conducteur. Les lumières émises au moyen des sources de lumière à semi-conducteur (115) se chevauchent au niveau de la surface de chauffage (180). Des différences de caractéristique d'une source de lumière à semi-conducteur (115) individuelle peuvent être estompées au niveau de la surface de chauffage (180) de manière à pouvoir obtenir une distribution de température homogène dans une surface de traitement d'une tranche, par exemple.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)