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1. (WO2015106465) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN PANNEAU D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/106465    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/071425
Date de publication : 23.07.2015 Date de dépôt international : 24.01.2014
CIB :
H01L 21/82 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; No.9-2,Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : DAI, Tianming; (CN)
Mandataire : GUANGDONG GUANGHE LAW FIRM; 20/F,Block A.World Trade Plaza FuHong Rd, Futian District Shenzhen, Guangdong 518033 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410023841.4 17.01.2014 CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY PANEL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN PANNEAU D'AFFICHAGE
(ZH) 一种显示面板制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a display panel having a thin film transistor matrix with a lightly doped drain structure, comprising: firstly forming a semiconductor pattern (12) with a predetermined shape on a substrate (10); forming a dielectric layer (13) covering the semiconductor pattern (12) on the substrate (10); forming a metal layer (14) on the dielectric layer (13); forming a photoresistance pattern (15), the size of which is smaller than that of the semiconductor pattern (12), right above the semiconductor pattern (12) on the metal layer (14); etching the metal layer (14) to form a gate (14a), the size of which is smaller than that of the photoresistance pattern (15); using the photoresistance pattern (15) as a mask film to perform high-concentration ion doping on a part that is not covered by the photoresistance pattern (15) so as to form a heavily doped region (12a); removing the photoresistance pattern (15); and using the gate (14a) as a mask film to perform low-concentration ion doping between the heavily doped region (12a) and a region of the semiconductor pattern (12) covered by the gate (14a) to form a lightly doped region (12b).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un panneau d'affichage comportant une matrice de transistors à couche mince avec une structure de drain légèrement dopée, consistant : d'abord, à former un motif semi-conducteur (12) de forme préétablie sur un substrat (10) ; à former une couche diélectrique (13) recouvrant le motif semi-conducteur (12) sur le substrat (10) ; à former une couche de métal (14) sur la couche diélectrique (13) ; à former un motif à photorésistance (15), dont la taille est inférieure à celle du motif semi-conducteur (12), directement au-dessus du motif semi-conducteur (12) sur la couche de métal (14) ; à graver la couche de métal (14) pour former une grille (14a), dont la taille est inférieure à celle du motif à photorésistance (15) ; à utiliser le motif à photorésistance (15) comme une pellicule de masque pour procéder à un dopage d'ions à forte concentration sur une partie qui n'est pas recouverte par le motif à photorésistance (15) afin de former une zone lourdement dopée (12a) ; à retirer le motif à photorésistance (15) ; et à utiliser la grille (14a) comme une pellicule de masque pour procéder à un dopage d'ions à faible concentration entre la zone lourdement dopée (12a) et une zone du motif semi-conducteur (12) recouverte par la grille (14a) pour former une zone légèrement dopée (12b).
(ZH)一种用于制作具有轻掺杂漏极结构薄膜晶体管矩阵的显示面板的方法,先在一基板(10)上形成具有预定形状的半导体图案(12),在基板(10)上形成一覆盖半导体图案(12)的介电层(13),在介电层(13)上形成一金属层(14),在金属层(14)上位于半导体图案(12)的正上方形成一尺寸小于半导体图案(12)的光阻图案(15),蚀刻金属层(14)以形成一尺寸小于光阻图案(15)的栅极(14a),利用光阻图案(15)作为掩膜进行对未被光阻图案(15)覆盖的部分进行高浓度离子掺杂以形成重掺杂区(12a),移除光阻图案(15),利用栅极(14a)作为掩膜对在重掺杂区(12a)与被栅极(14a)覆盖的半导体图案(12)区域之间进行低浓度离子掺杂以形成轻掺杂区(12b)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)