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1. (WO2015106235) COMMUTATEURS EN CASCODE INTÉGRÉS DE MANIÈRE MONOLITHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/106235    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/011111
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 13.01.2015
CIB :
H01L 21/82 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/098 (2006.01)
Déposants : UNITED SILICON CARBIDE, INC. [US/US]; 7 Deer Park Drive Suite E Monmouth Junction, NJ 08852 (US)
Inventeurs : BHALLA, Anup; (US).
LI, Zhongda; (US)
Mandataire : ROSEDALE, Jeffrey, H.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/926,455 13.01.2014 US
14/450,660 04.08.2014 US
Titre (EN) MONOLITHICALLY INTEGRATED CASCODE SWITCHES
(FR) COMMUTATEURS EN CASCODE INTÉGRÉS DE MANIÈRE MONOLITHIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed inventions are directed to advanced high-voltage switches with improved performance characteristics, increased reliability, and better compatibility with conventional gate drivers. The inventions disclosed herein implement a hybrid switch, comprising a high- voltage normally-on SiC VJFET, controlled via a low-voltage Si MOSFET in a cascode (Baliga-pair) configuration. The SiC VJFET and Si MOSFET are integrated monolithically at a wafer level, with the Si MOSFET fabricated on the Si layer that is directly adjacent to a dielectric layer on top of the SiC VJFET. Methods of making and operating these switches are also provided.
(FR)Les inventions concernent des commutateurs à haute tension avancés ayant des caractéristiques de fonctionnement amélioré, une plus grande fiabilité et une meilleure compatibilité avec des dispositifs de pilotage de grille classiques. Les inventions décrites par les présentes mettent en œuvre un commutateur hybride, comportant un VJFET au SiC normalement activé à haute tension, commandé par l’intermédiaire d’un MOSFET au Si à basse tension dans une configuration de cascode (paire de Baliga). Le VJFET au SiC et le MOSFET au Si sont intégrés de manière monolithique à un niveau de tranche de semi-conducteur, le MOSFET au Si étant fabriqué sur la couche Si qui est directement adjacente à une couche de diélectrique sur le dessus du VJFET au SiC. Des procédés de fabrication et de fonctionnement de ces commutateurs sont également fournis.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)