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1. (WO2015106234) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR MICRO-ONDES DE POLYIMIDES PHOTOSENSIBLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/106234    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/011107
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 13.01.2015
CIB :
G03F 7/00 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : HUBBARD, Robert L.; (US).
AHMAD, Iftikhar; (US)
Mandataire : TABOADA, Alan; (US)
Données relatives à la priorité :
61/964,748 13.01.2014 US
Titre (EN) METHOD FOR MICROWAVE PROCESSING OF PHOTOSENSITIVE POLYIMIDES
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR MICRO-ONDES DE POLYIMIDES PHOTOSENSIBLES
Abrégé : front page image
(EN)Methods and apparatus for processing photosensitive polyimide (PSPI) films, for example for use in electronic devices, are provided herein. In some embodiments, a method for curing photosensitive polyimide (PSPI) films includes: depositing a PSPI film on a selected substrate, and curing the film by microwave heating at a selected temperature from about 200 to 340oC in a selected atmosphere containing an oxygen concentration from about 20 to 200,000 ppm. The process atmosphere may be static or flowing. The addition of oxygen improves the removal of acrylate residue and improves the Tg of the cured film, while the low processing temperature characteristic of the microwave process prevents the oxygen from damaging the polyimide backbone. The method may further include the steps of photopatterning and developing the PSPI film prior to curing. The process is particularly suitable for dielectric films on silicon for electronic applications.
(FR)L'invention concerne des procédés et des appareils de traitement de films polyimides photosensibles (PSPI), par exemple destinés à être utilisés dans des dispositifs électroniques. Dans certains modes de réalisation, un procédé pour durcir des films polyimides photosensibles (PSPI) consiste : à déposer un film PSPI sur un substrat sélectionné, et à durcir le film au moyen d'un chauffage par micro-ondes à une température sélectionnée d'environ 200 à 340 oC dans une atmosphère sélectionnée contenant une concentration en oxygène d'environ 20 à 200 000 ppm. L'atmosphère de traitement peut être statique ou en écoulement. L'addition d'oxygène améliore l'élimination des résidus d'acrylate et améliore la Tg du film durci, tandis que la caractéristique température basse de traitement du processus à micro-ondes empêche l'oxygène d'endommager le squelette du polyimide. Le procédé peut en outre comporter les étapes de photomodélisation et de développement du film PSPI avant le durcissement. Le processus est particulièrement adapté aux films diélectriques sur silicium destinés à des applications électroniques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)