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1. (WO2015105924) RÉCEPTEUR DE PUISSANCE SANS FIL AVEC TRAJET DE PUISSANCE PROGRAMMABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/105924    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/010539
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 08.01.2015
CIB :
H04B 5/00 (2006.01), H04B 5/02 (2006.01), H02J 7/00 (2006.01)
Déposants : MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD. [SG/SG]; No. 1 Fusionopolis Walk, #03-01 Solaris Singapore 138628 (SG).
YEN, Yung-Chih; (TW) (US only).
RIEHL, Patrick Stanley [US/US]; (US) (US only).
AKRAM, Hasnain [PK/US]; (US) (US only).
SATYAMOORTHY, Anand [IN/US]; (US) (US only)
Inventeurs : YEN, Yung-Chih; (TW).
RIEHL, Patrick Stanley; (US).
AKRAM, Hasnain; (US).
SATYAMOORTHY, Anand; (US)
Mandataire : HSU, Winston; (US)
Données relatives à la priorité :
61/924,762 08.01.2014 US
Titre (EN) WIRELESS POWER RECEIVER WITH PROGRAMMABLE POWER PATH
(FR) RÉCEPTEUR DE PUISSANCE SANS FIL AVEC TRAJET DE PUISSANCE PROGRAMMABLE
Abrégé : front page image
(EN)A wireless power receiver IC in which the power path can be reconfigured as either a low-dropout regulator (LDO), a switched-mode power supply (SMPS) or a power switch (PSW) is provided. All three modes share the same pass device to reduce die area and share the same output terminal to reduce pin. In an inductive wireless receiver, the power path can be reprogrammed on the fly to LDO or PSW mode or can be reprogrammed on the fly to SMPS or PSW mode. In a resonant or multi-mode wireless receiver, the power path can be reprogrammed on the fly to SMPS or PSW mode. Furthermore, to achieve high power transfer efficiency performance, using N-channel MOSFET as its pass device has better efficiency and smaller die area than P-channel MOSFET pass device.
(FR)L’invention concerne un CI de récepteur de puissance sans fil dans lequel le trajet de puissance peut être reconfiguré soit comme régulateur à faible chute (LDO), soit comme alimentation en mode commuté (SMPS), soit comme commutateur de puissance (PSW). Les trois modes partagent le même dispositif de passage pour réduire la surface de puce et partagent la même borne de sortie pour réduire le brochage. Dans un récepteur sans fil inductif, le trajet de puissance peut être reprogrammé à la volée pour passer en mode LDO ou PSW ou peut être reprogrammé à la volée pour passer en mode SMPS ou PSW. Dans un récepteur sans fil résonant ou multimode, le trajet de puissance peut être reprogrammé à la volée pour passer en mode SMPS ou PSW. En outre, pour obtenir des performances élevées en matière de rendement de transfert de puissance, on utilise un MOSFET à canal N comme dispositif de passage, car il offre un meilleur rendement et une surface de puce plus petite qu’un dispositif de passage MOSFET à canal P.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)