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1. (WO2015105836) ÉLÉMENT À MAGNÉTORÉSISTANCE AYANT UNE COUCHE GERME AMÉLIORÉE POUR FAVORISER UNE MEILLEURE RÉPONSE AUX CHAMPS MAGNÉTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/105836    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/010424
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 07.01.2015
CIB :
G01R 33/09 (2006.01), H01F 10/30 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC [US/US]; 115 Northeast Cutoff Worcester, Massachusetts 01606 (US)
Inventeurs : DRESSLER, Cyril; (FR).
FERMON, Claude; (FR).
PANNETIER-LECOEUR, Myriam; (FR).
CYRILLE, Marie-Claire; (FR).
CAMPIGLIO, Paolo; (FR)
Mandataire : ROBINSON, Kermit; (US)
Données relatives à la priorité :
61/925,446 09.01.2014 US
Titre (EN) MAGNETORESISTANCE ELEMENT WITH AN IMPROVED SEED LAYER TO PROMOTE AN IMPROVED RESPONSE TO MAGNETIC FIELDS
(FR) ÉLÉMENT À MAGNÉTORÉSISTANCE AYANT UNE COUCHE GERME AMÉLIORÉE POUR FAVORISER UNE MEILLEURE RÉPONSE AUX CHAMPS MAGNÉTIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A magnetoresistance element and a method of fabricating same, the element comprising a substrate, a seed layer structure and a free layer structure, the former including at least a ferromagnetic seed layer promoting an increased magnetic anisotropy of the layers of the magnetoresistance element which are deposited above said seed layer structure.
(FR)L'invention concerne un élément à magnétorésistance et un procédé de fabrication de celui-ci qui comprend un substrat, une structure de couche germe et une structure de couche libre, la structure antérieure comprenant au moins une couche germe ferromagnétique qui favorise une anisotropie magnétique améliorée des couches de l'élément à magnétorésistance qui sont déposées au-dessus de la structure de couche germe.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)