Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2015105834 - ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF AYANT UNE MEILLEURE RÉPONSE AUX CHAMPS MAGNÉTIQUES

Numéro de publication WO/2015/105834
Date de publication 16.07.2015
N° de la demande internationale PCT/US2015/010422
Date du dépôt international 07.01.2015
CIB
G01R 33/09 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09des dispositifs magnéto-résistifs
H01F 10/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
26caractérisées par le substrat ou par les couches intermédiaires
30caractérisées par la composition des couches intermédiaires
H01F 10/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
32Multicouches couplées par échange de spin, p.ex. superréseaux à structure nanométrique
H01L 43/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10Emploi de matériaux spécifiés
H01L 43/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
G01R 33/0052
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
0052Manufacturing aspects; Manufacturing of single devices, i.e. of semiconductor magnetic sensor chips
G01R 33/09
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
G01R 33/098
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
098comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
G11B 2005/3996
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, ; i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
39using magneto-resistive devices ; or effects
3996large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
G11B 5/39
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, ; i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
39using magneto-resistive devices ; or effects
Déposants
  • ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC [US]/[US]
Inventeurs
  • CAMPIGLIO, Paolo
  • CADUGAN, Bryan
  • FERMON, Claude
  • LASSALLE-BALIER, Rémy
Mandataires
  • ROBINSON, Kermit
Données relatives à la priorité
14/529,56431.10.2014US
61/925,44609.01.2014US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETORESISTANCE ELEMENT WITH IMPROVED RESPONSE TO MAGNETIC FIELDS
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF AYANT UNE MEILLEURE RÉPONSE AUX CHAMPS MAGNÉTIQUES
Abrégé
(EN)
A magnetoresistance element has a pinning arrangement with two antiferromagnetic pinning layers, two pinned layers, and a free layer. A spacer layer between one of the two antiferromagnetic pinning layers and the free layer has a material selected to allow a controllable partial pinning by the one of the two antiferromagnetic pinning layers.
(FR)
Un élément magnétorésistif présente un agencement de piégeage comprenant deux couches de piégeage anti-ferromagnétiques, deux couches piégées et une couche libre. Une couche d'espacement entre l'une des deux couches de piégeage antiferromagnétiques et la couche libre présente un matériau sélectionné pour permettre un piégeage partiel régulable par l'une des deux couches de piégeage anti-ferromagnétiques.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international