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1. (WO2015105834) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF AYANT UNE MEILLEURE RÉPONSE AUX CHAMPS MAGNÉTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2015/105834 N° de la demande internationale : PCT/US2015/010422
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 07.01.2015
CIB :
G01R 33/09 (2006.01) ,H01F 10/30 (2006.01) ,H01F 10/32 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33
Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02
Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06
en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09
des dispositifs magnéto-résistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
26
caractérisées par le substrat ou par les couches intermédiaires
30
caractérisées par la composition des couches intermédiaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
32
Multicouches couplées par échange de spin, p.ex. superréseaux à structure nanométrique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC [US/US]; 115 Northeast Cutoff Worcester, Massachusetts 01606, US
Inventeurs :
CAMPIGLIO, Paolo; FR
CADUGAN, Bryan; US
FERMON, Claude; FR
LASSALLE-BALIER, Rémy; FR
Mandataire :
ROBINSON, Kermit; US
Données relatives à la priorité :
14/529,56431.10.2014US
61/925,44609.01.2014US
Titre (EN) MAGNETORESISTANCE ELEMENT WITH IMPROVED RESPONSE TO MAGNETIC FIELDS
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF AYANT UNE MEILLEURE RÉPONSE AUX CHAMPS MAGNÉTIQUES
Abrégé :
(EN) A magnetoresistance element has a pinning arrangement with two antiferromagnetic pinning layers, two pinned layers, and a free layer. A spacer layer between one of the two antiferromagnetic pinning layers and the free layer has a material selected to allow a controllable partial pinning by the one of the two antiferromagnetic pinning layers.
(FR) Un élément magnétorésistif présente un agencement de piégeage comprenant deux couches de piégeage anti-ferromagnétiques, deux couches piégées et une couche libre. Une couche d'espacement entre l'une des deux couches de piégeage antiferromagnétiques et la couche libre présente un matériau sélectionné pour permettre un piégeage partiel régulable par l'une des deux couches de piégeage anti-ferromagnétiques.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020160107235EP3090273JP2017505538