WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015105830) ELEMENT A EFFET DE MAGNETORESISTANCE A REPONSE AMELIOREE AUX CHAMPS MAGNETIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/105830    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/010417
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 07.01.2015
CIB :
G01R 33/09 (2006.01), H01F 10/30 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC [US/US]; 115 Northeast Cutoff Worcester, Massachusetts 01606 (US)
Inventeurs : FERMON, Claude; (FR).
PANNETIER-LECOEUR, Myriam; (FR).
CYRILLE, Marie-Claire; (FR).
DRESSLER, Cyril; (FR).
CAMPIGLIO, Paolo; (FR)
Mandataire : ROBINSON, Kermit; (US)
Données relatives à la priorité :
61/925,446 09.01.2014 US
14/452,783 06.08.2014 US
Titre (EN) MAGNETORESISTANCE ELEMENT WITH IMPROVED RESPONSE TO MAGNETIC FIELDS
(FR) ELEMENT A EFFET DE MAGNETORESISTANCE A REPONSE AMELIOREE AUX CHAMPS MAGNETIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A magnetoresistance element has a double pinned arrangement with two antiferromagnetic pinning layers, two pinned layers, and a free layer. A spacer layer between one of the two antiferromagnetic pinning layers and the free layer has a material selected to allow a controllable partial pinning by the one of the two antiferromagnetic pinning layers.
(FR)La présente invention concerne un élément à effet de magnétorésistance comportant un agencement à deux broches avec deux couches de brochage anti-ferromagnétiques, deux couches brochées, et une couche libre. Une couche d'écartement entre l'une des deux couches de brochage anti-ferromagnétiques et la couche libre comprend un matériau choisi pour permettre un brochage partiel contrôlable par une des deux couches de brochage anti-ferromagnétiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)