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1. (WO2015105673) MODIFICATION D'UN DIÉLECTRIQUE À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE, K, ULTRA-FAIBLE AU MOYEN D'UNE SOURCE DE PLASMA DISTANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/105673    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/071662
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 19.12.2014
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : LING, Mang Mang; (US).
KANG, Sean S.; (US).
PENDER, Jeremiah T P; (US).
NEMANI, Srinivas D.; (US).
HOWARD, Bradley J.; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael A.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/152,978 10.01.2014 US
Titre (EN) RECESSING ULTRA-LOW K DIELECTRIC USING REMOTE PLASMA SOURCE
(FR) MODIFICATION D'UN DIÉLECTRIQUE À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE, K, ULTRA-FAIBLE AU MOYEN D'UNE SOURCE DE PLASMA DISTANTE
Abrégé : front page image
(EN)A portion of the ultra-low k dielectric layer over a substrate is modified using a downstream plasma comprising a first chemistry. The modified portion of the ultra-low k dielectric layer is etched using the downstream plasma comprising a second chemistry. The downstream plasma is generated using a remote plasma source.
(FR)Une partie de la couche diélectrique à k ultra-faible sur un substrat est modifiée à l'aide d'un plasma aval ayant une première composition chimique. La partie modifiée de la couche diélectrique à k ultra-faible est gravée à l'aide du plasma aval ayant une seconde composition chimique. Le plasma aval est généré à l'aide d'une source de plasma distante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)