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1. (WO2015105671) MISE EN ANTÉMÉMOIRE ET TENUE DE JOURNAUX D'UNE NVRAM DANS UN SYSTÈME DE STOCKAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/105671    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/071581
Date de publication : 16.07.2015 Date de dépôt international : 19.12.2014
CIB :
G06F 12/08 (2006.01), G06F 3/06 (2006.01)
Déposants : NETAPP, INC. [US/US]; 495 East Java Drive Sunnyvale, California 94089 (US)
Inventeurs : KIMMEL, Jeffrey S.; (US)
Mandataire : REINEMANN, Michael R.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/150,302 08.01.2014 US
Titre (EN) NVRAM CACHING AND LOGGING IN A STORAGE SYSTEM
(FR) MISE EN ANTÉMÉMOIRE ET TENUE DE JOURNAUX D'UNE NVRAM DANS UN SYSTÈME DE STOCKAGE
Abrégé : front page image
(EN)Non-volatile random access memory (NVRAM) caching and logging may be configured to deliver low latency acknowledgements of input/output (I/O) requests, such as write requests, while avoiding loss of data associated with the requests that may occur as a result of power failures. Write data associated with one or more write requests may be received at a node of a cluster. The write data may be stored in a portion of an NVRAM configured as, e.g., a persistent write-back cache of the node, while parameters of the request may be stored in another portion of the NVRAM configured as one or more logs, e.g., NVLogs. The write data may be organized into separate variable length blocks or extents and "written back" out-of-order from the write back cache to storage devices, such as solid state drives (SSDs). The write data may be preserved in the write-back cache until each extent is safely and successfully stored on SSD (i.e., in the event of power loss), or operations associated with the write request are sufficiently logged on NVLog, to thereby provide efficient recovery when attempting to restore the write data preserved in the cache to the SSDs.
(FR)L'invention a pour objet de configurer la mise en antémémoire et la tenue de journaux d'une mémoire vive non volatile (NVRAM) pour délivrer des accusés de réception à faible latence de demandes d'entrée/sortie (E/S), comme des demandes d'écriture, tout en évitant une perte de données associées aux demandes qui pourrait se produire en raison de pannes électriques. Des données d'écriture associées à une ou plusieurs demandes d'écriture peuvent être reçues au niveau d'un nœud d'une grappe. Les données d'écriture peuvent être stockées dans une partie d'une NVRAM configurée par ex. comme une antémémoire persistante à écriture différée du nœud, tandis que des paramètres de la demande peuvent être stockés dans une autre partie de la NVRAM configurée comme un ou plusieurs journaux, par ex. des NVLog. Les données d'écriture peuvent être organisées en blocs ou tronçons distincts de longueur variable et "écrites en différé" dans le désordre de l'antémémoire à écriture différée vers des dispositifs de stockage, tels que des disques à semiconducteurs (SSD). Les données d'écriture peuvent être conservées dans l'antémémoire à écriture différée jusqu'à ce que chaque tronçon soit stocké en sûreté et avec succès sur un SSD (c.-à-d. en cas de perte d'alimentation), ou des opérations associées à la demande d'écriture sont suffisamment consignées sur un NVLog, pour assurer ainsi une reprise efficiente lors d'une tentative de récupération des données d'écriture conservées dans l'antémémoire vers les SSD.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)